1：实验设计与方法选择：

研究通过制备含与不含ZnO中间层的肖特基二极管，使其接受不同剂量的电子辐射，并采用I-V特性测量电学参数。运用热电子发射理论和Norde函数等理论模型进行参数计算。

2：样品选择与数据来源：

使用n型Si衬底。部分衬底通过射频磁控溅射沉积ZnO薄膜。通过沉积金属接触制备二极管。

3：实验设备与材料清单：

设备包括射频磁控溅射系统、X射线衍射仪(X'Pert PRO)、扫描电子显微镜(SEM, Zeiss Sigma 300)、原子力显微镜(AFM, Hitachi 5100 N)、紫外-可见分光光度计(Lambda35)、表面轮廓仪(KLA Tencor P7)、热蒸发器、电子辐射测试仪(Varian Trilogy型号LINAC)和皮安计/电压源(Keitley 487)。材料包括n-Si衬底、ZnO靶材(99.99%纯度)、Au-Sb合金和Zn金属。

4：0)、原子力显微镜(AFM, Hitachi 5100 N)、紫外-可见分光光度计(Lambda35)、表面轮廓仪(KLA Tencor P7)、热蒸发器、电子辐射测试仪(Varian Trilogy型号LINAC)和皮安计/电压源(Keitley 487)。材料包括n-Si衬底、ZnO靶材(99%纯度)、Au-Sb合金和Zn金属。 实验流程与操作步骤：

4. 实验流程与操作步骤：衬底经RCA1、RCA2流程及HF溶液清洗。在指定条件下溅射ZnO薄膜。通过热蒸发沉积欧姆接触和肖特基接触。二极管接受25、50和75戈瑞剂量辐射。辐射前后进行I-V测量。

5：RCA2流程及HF溶液清洗。在指定条件下溅射ZnO薄膜。通过热蒸发沉积欧姆接触和肖特基接触。二极管接受50和75戈瑞剂量辐射。辐射前后进行I-V测量。 数据分析方法：

5. 数据分析方法：基于热电子发射理论和Norde方法，通过I-V数据计算理想因子、势垒高度、串联电阻等电学参数。采用XRD、SEM、AFM和紫外-可见光谱分析结构与光学特性。