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具有纳米光子层集成的三结光电传感器,用于单分子水平解码

DOI:10.1021/acsnano.9b00019 期刊:ACS Nano 出版年份:2019 更新时间:2025-11-25 10:30:42
摘要: 过去十年间,开发快速稳健的DNA测序平台的需求激增。为取代传统桑格测序法,已采用多种第二代/第三代测序技术。在合成测序(SBS)中,通过扫描电荷耦合器件(CCD)监测信号,以识别芯片上带有独特荧光团的成千上万至数百万个掺入dNTP。由于单个反应位点通常占据CCD探测器数十个像素,与CCD成像带宽相关的瓶颈限制了测序性能的通量,并导致速度、准确性、读长及并行反应位点数量之间的权衡。因此,当前研究旨在通过将纳米光子层(NPL)直接堆叠在CMOS探测器上,使单个反应位点对应少数像素,从而最小化测序平台尺寸并加速处理流程。本文报道了一种基于三结光电二极管(TPD)CMOS传感器并结合NPL集成的定制集成光电器件,用于荧光分子的实时照明与检测。
作者: Hsin-Yi Hsieh,Yu-Hsuan Peng,Sheng-Fu Lin,Li-Ching Chen,Teng-Chien Yu,Chung-Fan Chiou,Johnsee Lee
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基于三结光电二极管(TPD)CMOS传感器并集成纳米光子层(NPL),开发一种定制化集成光电设备,用于实时照明和检测荧光分子,以提高DNA测序性能。

所开发的NPL集成TPD CMOS系统成功区分了人造光源与荧光分子的波长,展现出具有实时光谱分辨能力的单分子DNA测序潜力。需进一步改进暗电流抑制效果并优化NPL制备工艺以提升性能。

由于CMOS传感器受到应力诱导位错的影响,NPL集成过程增加了噪声变化并降低了动态范围。薄膜的制备参数(如温度和自发荧光)需要优化。解码精度受到信噪比和染料光谱重叠的限制。

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