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[IEEE 2018 31st International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC) - Kyoto, Japan (2018.7.9-2018.7.13)] 2018 31st International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC) - Gamma-Ray Irradiation Effects of CdS/CdTe Photodiode for Radiation Tolerant FEA Image Sensor

DOI：10.1109/IVNC.2018.8520196 出版年份：2018 更新时间：2025-09-23 15:21:21
摘要： The influences of gamma irradiation on CdS/CdTe photodiodes were investigated in order to evaluate their potential for applications to the radiation tolerant field emitter array (FEA) image sensor. It was found that the CdS/CdTe photodiodes have sufficient tolerance to high gamma-ray exposure more than 2 MGy. Furthermore, I-V characteristics of CdS/CdTe photodiodes under gamma-ray irradiation were investigated. In the CdTe thickness of 6.5 ?m, the change rate of current density increased with increase in the reverse bias voltage. On the other hand, in the case of 2.2 ?m, the change rate of current density was almost constant irrespective of the reverse bias voltage. These results suggest that the increase in depletion layer width affects the change rate of current density.
作者： Tamotsu Okamoto，Tomoya Igari，Takahiro Fukui，Yasuhito Gotoh，Nobuhiro Sato，Masafumi Akiyoshi，Ikuji Takagi
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

The influence of gamma irradiation on CdS/CdTe photodiodes was investigated in order to evaluate their potential for applications in high-radiation environments.

研究成果

CdS/CdTe photodiodes exhibit sufficient tolerance to high gamma-ray exposure, with the change rate of current density affected by the depletion layer width.

研究不足

The study focuses on gamma-ray irradiation effects and does not cover other types of radiation or environmental conditions.

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