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A simple, low cost ink system for Drop-On-Demand printing high performance metal oxide dielectric film at low temperature

DOI:10.1021/acsami.8b14328 期刊:ACS Applied Materials & Interfaces 出版年份:2019 更新时间:2025-09-23 15:23:52
摘要: We have successfully developed an ink system containing cheap raw materials through a simple process and have printed ZrOx dielectric film at a relatively low annealing temperature of 250 °C. The ZrOx dielectric film afforded a leakage current density of 5.4×10-6 A/cm2 at 1 MV/cm and a dielectric constant of 10, which shows promising future for flexible electronics. The ink system shows a temperature-induced gelation behavior and gel network is formed when temperature rises. A high concentration of oxide precursors is obtained near the network area through the absorption function of polymer groups, and thus oxide structure can be formed at a relatively low temperature due to the shorter diffusion path of precursor polymerization. The microstructure of printed ZrOx film was investigated by High Resolution Transmission Electron Microscope (HRTEM), Fourier-transform infrared spectroscopy (FT-IR) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), and the effect of annealing temperature on film structure was studied.
作者: Zhennan Zhu,Jianhua Zhang,Zhongwei Zhou,Honglong Ning,Wei Cai,Jinglin Wei,Shangxiong Zhou,Rihui Yao,Xubing Lu,Junbiao Peng
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To develop a simple, low-cost ink system for Drop-On-Demand printing of high-performance metal oxide dielectric films at low temperatures, addressing the need for compatibility with flexible substrates and reduced energy consumption.

The developed gelating ink system enables successful Drop-On-Demand printing of ZrOx dielectric films at a low temperature of 250 °C, achieving a low leakage current density of 5.4×10-6 A/cm2 at 1 MV/cm and a dielectric constant of 10. This method is promising for flexible electronics due to its low cost and simplicity, although further work is required to mitigate defects and improve performance at higher temperatures.

The ink system may have limitations in further improving dielectric performance, as defects and grain boundaries increase at higher annealing temperatures (e.g., 350 °C), leading to higher leakage currents. Optimization is needed for broader application and enhanced properties.

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