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[IEEE 2018 IEEE International Ultrasonics Symposium (IUS) - Kobe, Japan (2018.10.22-2018.10.25)] 2018 IEEE International Ultrasonics Symposium (IUS) - Low-Loss, High-Frequency and Large-Coupling SH SAW Resonators Based on SiN/LiNbO<inf>3</inf>/Si

DOI：10.1109/ULTSYM.2018.8579882 出版年份：2018 更新时间：2025-09-23 15:22:29
摘要： Low-loss, high-frequency and large-coupling-coefficient SAW resonators based on SiN/LN/Si are demonstrated in this study. By bonding the high-velocity Si substrate to the sub-wavelength-thick LN layer, the shear-horizontal mode SAW resonator no longer couples with the bulk modes in substrate and the leaky component is effectively eliminated. As the propagation loss is no longer the main concern for the cut angle selection, the ultra-large cut angle can be used to achieve high coupling coefficient (κ2). By carefully designing the SiN/LN/Si structure, the high-frequency and large-κ2 SAW resonators with low loss are achieved. The fabricated SAW resonators show great potential for current and next generation front ends.
作者： Y. Wu，H. Li，C. Campbell，S. Samandareddy，J. Turner，H. Zhang
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研究概述 实验方案

研究目的

To demonstrate low-loss, high-frequency, and large-coupling-coefficient SAW resonators using SiN/LN/Si structures by reducing propagation loss and eliminating leaky components.

研究成果

The SiN/LN/Si SAW resonators achieve high frequency, large coupling coefficient, and low loss, making them suitable for advanced front-end applications.

研究不足

Specific limitations are not detailed in the provided text, but may include constraints in fabrication precision, material quality, or frequency range.

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