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光子集成多波长激光器阵列：最新进展与展望
摘要： 随着光子集成技术的重大进步以及对多波长紧凑光源的需求，多波长激光器阵列（MWLAs）在高容量光信号传输、光子交换和光学传感中可发挥重要作用。采用半导体代工厂制造并与电子集成电路集成，不仅带来了先进技术，也为实现MWLAs提供了新思路。本文首先概述现有技术发展，随后探讨实现光子集成MWLAs的挑战及可能解决方案。概述内容将涵盖单片集成与混合集成MWLAs，并对平面腔与垂直腔MWLAs的波长校准方案进行讨论与比较。
关键词： 光子交换、光信号传输、光传感、多波长激光阵列、光子集成
更新于2025-09-23 15:21:01
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[2018年IEEE第15届第四组光子学国际会议(GFP) - 坎昆(2018.8.29-2018.8.31)] 2018年IEEE第15届第四组光子学国际会议(GFP) - 光子集成用片上III-V/Si混合半导体光放大器演示
摘要： 我们展示了一款工作在1284纳米波长的III-V/Si混合半导体光放大器，其片上增益超过20分贝，输出功率大于50毫瓦，内部噪声系数低于7分贝，3分贝带宽超过40纳米，并能以小于1分贝的功率代价（在10^-12误码率下）实现对25吉比特每秒非归零码数据的放大。
关键词： III-V/Si混合、光放大、半导体光放大器、数据中心、光子集成
更新于2025-09-23 15:21:01
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基于SiGe材料的两种光子集成波导研究
摘要： SiGe（硅锗）是一种具有诸多优良特性的常见半导体材料，许多光子集成器件均采用SiGe材料设计与制造。本文研究了两种光子集成SiGe波导结构，即SiGe-SOI（硅锗-绝缘体上硅）波导与SiGe-OI（硅锗-绝缘体上硅锗）波导。为验证哪种结构具有更优的波导性能，构建了这两种波导结构，并对其有效折射率及损耗特性进行分析比较。通过仿真发现，在1.55微米波长下SiGe-OI光波导具有更优异的损耗特性。最终制备并测试了SiGe-OI与SiGe-SOI波导以验证理论分析的正确性，实验结果表明：在400纳米和600纳米波导宽度下，SiGe-OI波导的传输损耗较SiGe-SOI波导分别降低36.6%和28.3%。研究还显示，在低锗含量条件下，SiGe-OI波导比SiGe-SOI波导具有更优的损耗特性。
关键词： 光子集成、损耗、SiGe材料、波导
更新于2025-09-23 15:19:57
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[IEEE 2019年第24届光电子与通信会议(OECC)暨2019年国际光子学在交换与计算会议(PSC) - 日本福冈(2019.7.7-2019.7.11)] 2019年第24届光电子与通信会议(OECC)暨2019年国际光子学在交换与计算会议(PSC) - 基于InP薄膜的高效深蚀刻切趾聚焦光栅耦合器（带金属背反射镜）
摘要： 我们在高限制InP膜平台上展示了一种深蚀刻的TE光栅耦合器。结果表明，这些光栅在1525纳米波长下具有高达75%的光纤耦合效率。
关键词： 光子集成，先进无源器件
更新于2025-09-16 10:30:52
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利用单片集成注入锁定DFB激光器实现单边带调制的实验验证
摘要： 实验验证了基于单片集成光注入锁定（MOIL）分布反馈（DFB）激光器的单边带（SSB）调制技术。据我们所知，这是首次利用MOIL DFB激光器实现SSB调制。通过调节MOIL DFB激光器的偏置电流，获得了具有较大上下边带功率比的可调谐SSB信号，测得最大上下边带功率比为24.4 dB，这对提升光纤无线传输链路的性能具有重要价值。由于该SSB调制的产生，光纤传输响应显著平坦化，在85公里光纤中传输25 GHz信号时未受光纤色度色散影响。采用该SSB调制链路还成功传输了载波频率为21 GHz、23 GHz和25 GHz的20 MSymbol/s 32-QAM信号，链路误差矢量幅度（EVM）和误码率（BER）均得到显著改善。该方法能有效抑制光纤色度色散。
关键词： 光子集成、单边带调制（SSB）、注入锁定分布反馈激光器、光纤色度色散
更新于2025-09-16 10:30:52
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[IEEE 2019年第24届光电子与通信会议(OECC)暨2019年国际光子学在交换与计算会议(PSC) - 日本福冈 (2019.7.7-2019.7.11)] 2019年第24届光电子与通信会议(OECC)暨2019年国际光子学在交换与计算会议(PSC) - 基于电光相位匹配的64 Gbps硅光子晶体慢光调制器
摘要： 我们展示了一款采用蜿蜒线电极作为射频延迟线的硅光子晶体调制器，其工作速率达到64 Gbps。该器件呈现出预加重频率响应特性，从而实现了清晰的眼图张开效果。
关键词： 光子集成，光学调制器
更新于2025-09-16 10:30:52
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基于谷扭结态的拓扑光子集成电路
摘要： 谷赝自旋作为光子晶格中的新自由度，为操控光子及增强光学网络鲁棒性提供了新途径。本研究实验展示了集成光路中谷极化光子的拓扑导波、折射、谐振与路由行为。具体而言，在具有不同拓扑谷相位的光子晶体畴壁处，存在一种拓扑保护的谷扭结态——该态在锐角弯折与终端处均无背向散射。这些谷扭结态进一步被用于构建具有曲折腔体几何结构的高品质因数拓扑光子晶体腔。研究还演示了多谷扭结态交汇处的新型光路由方案：由于光子谷赝自旋效应，光束会以反直觉方式分束。这些成果不仅能实现鲁棒的光通信与信号处理，还将为激光器、量子光子对产生及光力系统等领域的拓扑光子学基础研究开辟新方向。
关键词： 硅光子学、纳米光子器件、光子晶体、拓扑光子学、光子集成
更新于2025-09-12 10:27:22
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[IEEE 2019化合物半导体周（CSW）- 日本奈良（2019.5.19-2019.5.23）] 2019化合物半导体周（CSW）- InP膜激光器与有源-无源集成
摘要： 本文综述了纳米光子平台IMOS的最新进展?；谒疾ㄓ性?无源集成方案的高性能光放大器已得到验证，使得IMOS上能够实现连续波工作的激光器。未来的工作将致力于在同一薄膜上集成更先进的组件，如>67GHz探测器、偏振控制器和光调制器。
关键词： 激光、光子集成、光子薄膜
更新于2025-09-12 10:27:22
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[IEEE 2019年第24届光电子与通信会议(OECC)暨2019年国际光子学在交换与计算中的应用会议(PSC) - 日本福冈(2019.7.7-2019.7.11)] 2019年第24届光电子与通信会议(OECC)暨2019年国际光子学在交换与计算中的应用会议(PSC) - 硅基高性能激光器
摘要： 我们回顾了在硅基高性能异质集成与直接生长半导体光源方面的最新进展，重点介绍了亚千赫兹窄线宽激光器和高通道数梳状激光器。
关键词： 半导体激光器、光子集成、硅光子及异质平台
更新于2025-09-12 10:27:22
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[IEEE 2019年第21届透明光网络国际会议(ICTON) - 法国昂热 (2019.7.9-2019.7.13)] 2019年第21届透明光网络国际会议(ICTON) - 高速密集光子集成电路的射频互连技术
摘要： 我们展示了一种通用InP光子集成平台上低损耗射频互连的开发。所提出的互连为射频信号布线提供了额外的自由度，从而实现了高速且更密集的光子集成电路（PIC）。由于所提出的制造工艺是通过后处理完成的，因此可以灵活地集成到PIC的制造过程中。
关键词： 光子集成电路，光子集成，开放式创新
更新于2025-09-11 14:15:04