研究目的
研究和比较两种光子集成SiGe波导的性能，即SiGe-SOI波导和SiGe-OI波导，重点关注它们的有效折射率和损耗特性。
研究成果
与SiGe-SOI波导相比，SiGe-OI波导展现出更优异的传输特性，在400纳米和600纳米波导宽度下分别降低了36.6%和28.3%的传输损耗。这表明在低锗含量条件下，SiGe-OI波导对光子集成应用具有更高效率。
研究不足
该研究受限于当前SiGe-OI材料生长技术的现状，主要聚焦于低锗含量下损耗特性的对比。制造过程中波导界面粗糙度的影响也可能对结果的准确性造成影响。
1：实验设计与方法选择：
本研究涉及构建两种波导结构（SiGe-SOI和SiGe-OI），并通过模拟与实验测试分析其有效折射率及损耗特性。
2：样本选择与数据来源：
制备具有特定结构参数（H=220纳米，h=50纳米，W=400~600纳米）的SiGe-OI与SiGe-SOI波导并进行测试。
3：实验设备与材料清单：
包括ASE激光器、锥形单模光纤、偏振控制器、光谱仪以及用于精密对准的六维平台。
4：实验流程与操作步骤：
详述两种波导的制备过程，包括预处理、减薄、SiGe层生长、光刻、刻蚀及测试。
5：数据分析方法：
采用光束传播法（BPM）分析有效折射率与损耗特性，并对两种波导结构进行对比。
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ASE laser
Used as a light source in the testing process of the optical waveguide.
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tapered single-mode fiber
Used for connecting the ASE laser to the chip and for output connection to the spectrometer or power meter.
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optical spectrometer
Used to observe the response spectrum during the testing process.
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six dimensions of the platform
Used for precise alignment in the testing process of the optical waveguide.
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