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氢等离子体处理的掺铝氧化锌薄膜光学特性的椭偏研究
摘要： 采用射频磁控溅射法在室温下制备了掺铝氧化锌（AZO）薄膜，并对其进行不同时间的氢等离子体后处理。在10 W功率、200°C温度和3.0小时条件下进行氢等离子体处理后，薄膜电阻率从1.6 Ω·cm显著降至3.4×10?3 Ω·cm，同时550 nm波长处的透光率从90.5%提升至96.0%。通过变角光谱椭偏仪详细表征了氢等离子体处理后AZO薄膜的光学常数，结果显示：在350-1100 nm整个测量波长范围内折射率n持续降低，消光系数k在短波段下降而在长波段变化微弱。这些结果可为基于AZO薄膜的光电应用设计与优化提供指导依据。
关键词： 电阻率、光谱椭偏仪、透射率、光学常数、氢等离子体处理、铝掺杂氧化锌
更新于2025-11-14 17:03:37
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强脉冲光烧结过程中铜纳米颗粒电阻率演变的原子尺度模拟
摘要： 本工作采用分子动力学（MD）方法模拟了铜纳米颗粒墨水的强脉冲光（IPL）烧结过程。首先计算了IPL烧结过程中两个铜纳米颗粒间颈部的尺寸增长，随后将颈部尺寸代入Reimann-Weber公式计算所得电阻率。总体而言，烧结初期观察到电阻率快速下降（由颈部尺寸快速增长所致），随后电阻率逐渐降低。此外，模拟的电阻率温度相关性趋势与实验测量值相符。该MD模型是设计者优化IPL烧结过程的有效工具。
关键词： 分子动力学、纳米粒子、电阻率、强脉冲光、铜
更新于2025-09-23 15:23:52
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用于智能窗应用的非平衡磁控溅射制备的氧化钒薄膜特性
摘要： 采用钒金属靶材和O2反应气体，通过非平衡磁控溅射(UBM)系统沉积氧化钒(VOx)薄膜，并进行不同退火温度的热处理。本研究实验探究了不同退火温度下制备的VOx薄膜的结构、电学及光学特性。UBM溅射生长的VOx薄膜呈非晶结构，由于薄膜极薄仅呈现微弱的V2O5(002)峰。但随着退火温度升高，VOx薄膜的晶粒尺寸增大。薄膜表面粗糙度和平均透射率随退火温度升高而降低。VOx薄膜电阻率也随退火温度升高而下降，同时薄膜电学性能得到改善。
关键词： 透射率、非平衡磁控溅射、氧化钒、表面粗糙度、电阻率
更新于2025-09-23 15:23:52
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透明导电材料（材料、合成、表征、应用）|| 用范德堡法表征电学性能
摘要： 范德堡法是测量各种材料电学特性最常用的技术之一，对透明导电材料的表征同样有效。该方法由范德堡提出，用于测量任意形状样品的电阻率和霍尔效应。虽然样品形状不限，但必须保持平整，其上安装的电极应足够小且位于样品边缘。此外，样品内部不得存在孤立孔洞。
关键词： 范德堡法、电阻率、电学性能、霍尔效应、透明导电材料
更新于2025-09-23 15:21:21
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化学蚀刻纹理化ZnO薄膜的光电性能
摘要： 氧化锌（ZnO）薄膜通过射频磁控溅射法制备于玻璃基底上作为透明导电氧化物薄膜。对于硅太阳能电池而言，适当的表面织构化对引入光散射及后续的光捕获以增强电流产生至关重要。本研究采用稀盐酸（HCl）湿化学蚀刻法对磁控溅射ZnO薄膜进行织构化处理以优化光散射效果。通过测量表面织构化ZnO薄膜的漫透射率来评估其光散射性能，并系统研究了盐酸浓度对表面织构化ZnO薄膜形貌、光学及电学特性的影响。经0.05M HCl溶液蚀刻30秒的ZnO薄膜在可见光波段表现出9.52%的平均漫透射率及优异的1.10×10?3 Ω·cm电阻率，而原始沉积态ZnO薄膜仅具0.51%的平均漫透射率和相对较高的5.84×10?2 Ω·cm电阻率。实验结果表明：通过湿化学蚀刻工艺引入表面织构可显著提升ZnO薄膜的光学与电学性能。
关键词： 表面纹理、光散射、漫透射率、电阻率、氧化锌
更新于2025-09-23 15:21:01
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喷雾沉积Cd1-xZnxS薄膜的带隙结构可控固溶体：光致发光与光电响应特性研究
摘要： 通过传统化学喷雾热解法在不同温度下于玻璃基底上制备了纳米晶Cd1-xZnxS（x=0.00-1.00原子百分比）薄膜。当x<0.70时薄膜呈现六方相，更高x值时出现立方相。XRD峰位随锌含量增加的偏移证实了Cd1-xZnxS固溶体的形成。较高沉积温度改善了薄膜结晶度，而x值增大会降低结晶度。SEM图像显示x=0时为近球形颗粒状结构，随着x增大颗粒尺寸逐渐劣化，x>0.60时转变为纤维状结构。其中x=0.40-0.60的薄膜具有多孔特性，特别适合气体传感应用。EDS分析确认了Cd、Zn和S元素的存在且符合预期化学计量比。光学透过率和带隙宽度随温度及x值升高而增大。锌含量增加使吸收边向短波方向移动，赋予薄膜在蓝光区域的高透射性。消光系数随x增大而减小，乌尔巴赫能量表明存在缺陷。光致发光光谱呈现宽发射带，可解卷积为多个源自缺陷态的峰位。薄膜电阻率随x增大而升高，导致霍尔效应测量的载流子浓度降低。研究发现结晶度影响薄膜的光响应特性——高镉含量薄膜在带边区呈现优异光响应（电阻快速下降），适合作为光电探测器；本工作获得的小晶粒纤维状结构薄膜（具有大开放表面积）可用于气体传感，而x>0.60的薄膜非常适合制备太阳能电池窗口层。
关键词： 结构特性、CdZnS薄膜、光响应、光学特性、电阻率、光致发光
更新于2025-09-23 15:19:57
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采用混合及双靶（硼-金刚石/石墨）脉冲激光沉积法制备的BC薄膜的结构、电学和力学性能
摘要： 通过分别采用B-金刚石混合靶和双B-石墨靶的脉冲激光烧蚀，实现了BCx薄膜相对较低和较高的沉积速率。沉积过程在500°C下进行，薄膜沉积速率根据每个激光脉冲生长的原子单层数量（明显少于或多于一个单层）确定。在低沉积速率形成BCx薄膜的情况下，硼掺杂促进了纳米复合结构的生长，该结构具有更高的sp3键比例、极低的电阻率和改善的机械性能。这些薄膜的方块电阻随温度从300K降至65K的变化呈现金属特性。对于厚度约95nm、体相组成为BC1.7和BC0.6的薄膜，室温电阻率约为1.5 mΩ·cm，而富硼薄膜在85K时测得最低电阻率为0.23 mΩ·cm。随着此类薄膜中硼原子浓度的增加，载流子（空穴）浓度降低，其迁移率因样品冷却从180提升至10,500 cm2·V?1·s?1。采用双B-石墨靶的较高沉积速率激活了凝聚原子的表面迁移，导致颗粒形态发展、硼偏析及sp3键比例降低。此类薄膜的硬度和电导率明显逊色于低沉积速率PLD法获得的薄膜。
关键词： 硬度、薄膜、电阻率、脉冲激光沉积、硼、类金刚石碳
更新于2025-09-22 16:21:32
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基于自适应hp有限元法的方位电磁波随钻测量研究
摘要： 方位电磁波随钻测井（LWD）技术能够检测微弱电磁波信号并实现实时电阻率成像，在降低钻井成本和提高钻速方面具有重要价值。本文采用自适应hp有限元法（FEM）研究了不同工况下的方位电阻率LWD响应。数值模拟结果表明：定向电磁波信号的振幅衰减和相位偏移与感应磁场及方位角密切相关；地质导向信号的峰值与极性可用于识别储层界面并实现实时地质导向钻井。数值模拟结果同时验证了自适应hp FEM的准确性，并为地质导向信号峰值与极性提供了物理解释。
关键词： 电阻率，方位电磁波，有限元，地质导向
更新于2025-09-23 11:57:33
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基于多晶氮化镓的不同接触金属-半导体-金属（MSM）光电探测器性能
摘要： 本文描述了采用不同接触材料（Al、ITO、Ni和Pt）的多晶氮化镓基金属-半导体-金属（MSM）光电探测器的性能。通过电阻率（r）、信噪比（SNR）、响应度（R）、内量子效率（η）和时间响应度等指标对每个光电探测器的性能进行了研究。结果表明，镍（Ni）是该光电探测器的理想接触材料。这是因为氮化镓层上残留氧化物形成的NixO扩散至镍接触层降低了电阻率，从而提高了光电探测器的导电性。采用镍接触的光电探测器显示出随偏置电压增加而显著提升的信噪比特性，其电阻率测量值为2.02 MΩ·cm2，在波长λ=342 nm、385 nm和416 nm时对应的内量子效率分别为3.13%、2.36%和1.52%。时间响应度测量显示：上升时间为1.75秒，恢复时间为1.87秒，灵敏度为5840%。
关键词： MSM光电探测器、电接触、电阻率、内量子效率与时间响应度、信噪比、多晶氮化镓、响应度
更新于2025-09-12 10:27:22
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直流-射频磁控共溅射掺铜、铟和银的硫化锡薄膜的结构、光学及电学研究（光伏应用）
摘要： 本研究采用直流-射频磁控共溅射技术（原位衬底温度400°C），在不改变SnS化学及晶体结构特性的前提下，通过掺入Cu、In和Ag原子实现了对其光学与电学性能的调控。EDAX分析表明，通过调节直流溅射电压可使掺杂量提升至约10%。形貌研究表明，掺杂阳离子进入SnS晶格位点导致表面形貌、粒径及粗糙度发生变化。当掺杂量优化至约5%时，掺杂阳离子（Cu2+、In3+和Ag2+）实现替代式掺杂进入SnS晶格，使吸收系数提升、霍尔载流子浓度增加，同时带隙与电阻率降低。Cu 4.8%掺杂SnS薄膜的霍尔测量显示其呈现p型导电性，电阻率最低达90 Ω·cm，载流子浓度提升至1017 cm?3。
关键词： SnS薄膜、光学带隙、共溅射、电阻率、相形成
更新于2025-09-11 14:15:04