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[IEEE 2018年第15届中国国际固态照明论坛暨宽禁带半导体国际论坛（SSLChina: IFWS） - 中国深圳（2018.10.23-2018.10.25）] 2018年第15届中国国际固态照明论坛暨宽禁带半导体国际论坛（SSLChina: IFWS） - 1200V碳化硅MOSFET器件的阈值电压不稳定性
摘要： 1200V 4H-SiC MOSFET已成功设计并制造完成。当栅极电压Vg=20V（对应漏源电压Vd=2.0V）时，漏极电流Id达到20A。研究团队随即对阈值电压稳定性进行了测试。研究表明：在栅极偏压应力作用下器件性能的不稳定性，源于SiC/栅介质界面陷阱及邻近界面陷阱的栅介质对电子的俘获效应。实验在150℃温度下对栅极施加+20V/-10V恒定电压，通过监测阈值电压来评估器件稳定性。与另外三款商用器件相比，该器件的阈值电压Vth表现出极小的波动。
关键词： 阈值电压，碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管，界面态
更新于2025-09-22 22:33:49
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基于硅纳米晶体的p-i-n器件中的陷阱辅助开关
摘要： 一种全硅p-i-n器件由纳米多孔硅层夹在p型晶体硅和n型非晶硅之间构成，展现出电流控制开关特性。该器件的温度依赖性电荷输运特性表明：通过碰撞激发作用，在纳米晶硅核与氧化壳界面处注入载流子的俘获与释放过程是产生观测到开关效应的原因。以亚氧化物和悬挂键形式存在的丰富表面不均匀性形成了多个电荷俘获中心，从而使器件具备开关特性。根据释放势估算的陷阱态密度（约1011/cm2）与直接从C-V测量获得的陷阱密度高度吻合。
关键词： MIS结构、纳米结构硅、界面态、阻变效应
更新于2025-09-11 14:15:04
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六方氮化硼封装的双层石墨烯中的界面态
摘要： 电子和空穴支路开始导通时的阈值电压可提供能隙值或带隙中界面态的信息。我们测量了由六方氮化硼封装的双层石墨烯的电导率随背栅和顶栅的变化情况（其中另一片双层石墨烯用作顶栅）。根据测得的电导率，在假设零界面陷阱态的前提下提取出输运能隙值，这些值与理论预期能隙值接近。通过微小差异还估算出带隙内单位能量界面态平均密度（Dit）。数据清晰表明：Dit并非恒定不变，而是随着双层石墨烯能隙增大而减小。尽管存在递减趋势，但有趣的是带隙内总界面态数量却随能隙增大呈线性增长——这是因为即使没有能隙时仍有约2×101? cm?2的界面态局域在能带边缘，而其他带隙态则均匀分布在带隙中。
关键词： 带隙、六方氮化硼、双层石墨烯、输运势垒、界面态
更新于2025-09-10 09:29:36
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界面效应对CoFeB|MgO|GaAs-InGaAs量子阱异质结构电注入与输运特性的影响
摘要： 界面质量是实现量子阱发光二极管高效电学自旋注入的关键因素。本研究通过对比磁控溅射与分子束外延（MBE）两种工艺制备的织构化MgO隧穿势垒，探究了CoFeB|MgO|GaAs-InGaAs量子阱异质结构中界面效应对电输运特性的影响。正反向电流-电压特性表明：溅射样品的阈值电压随退火温度从室温升至300°C而降低，而MBE生长样品的阈值电压受退火温度影响较小。结合透射电镜分析发现：MBE制备的MgO|GaAs界面在生长态和退火态均保持锐利；溅射样品生长态时MgO|GaAs界面存在约0.4纳米厚的非晶MgO层，该非晶层经退火后可改善并结晶。MgO|GaAs界面通过调控能带结构影响电注入效率。本研究表明，利用两种MgO织构化势垒生长工艺可有效调控CoFeB|MgO|GaAs界面，从而确保实现高效电学注入。
关键词： 自旋发光二极管、结构与电学特性、MIS结构、界面态
更新于2025-09-09 09:28:46
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[IEEE 2018年国际半导体会议（CAS）- 罗马尼亚锡纳亚（2018.10.10-2018.10.12）] 2018年国际半导体会议（CAS）- 二次谐波产生：一种介质-半导体界面的无损表征方法
摘要： 本文综述了二次谐波产生（SHG）技术在微电子和光伏领域中用于表征介电-半导体界面的应用。基于非线性光学原理，该方法具有无损特性，因而特别适用于薄膜材料。理论基础表明，该技术能够探测界面处的电场，从而实现对氧化物中界面态密度或固定电荷的无损测量。文中将展示两个更详细的SHG表征应用实例：采用薄膜沉积氧化铝钝化硅材料，以及绝缘体上硅衬底的界面分析。
关键词： 界面态、介质-半导体界面、固定氧化物电荷、界面电场、二次谐波产生
更新于2025-09-04 15:30:14