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[IEEE 2018国际微波与毫米波技术会议（ICMMT）- 中国成都（2018年5月7日-2018年5月11日）] 2018年国际微波与毫米波技术会议（ICMMT）- 面向毫米波5G基站的宽带1dB噪声系数砷化镓低噪声放大器
摘要： 一款面向毫米波5G基站应用的宽带低噪声放大器（LNA）采用0.1微米InGaAs pHEMT工艺制造，其噪声系数（NF）低于1分贝。该器件采用共源拓扑结构配合电感源极退化技术，实现噪声与输入阻抗的同步匹配。测试结果表明：在1V供电电压、13mW功耗条件下，该LNA在24GHz频点获得7.9dB增益及5GHz带宽的-1dB平坦度；在21-27GHz频段内噪声系数始终低于1.5dB，其中26GHz处达到最低值0.7dB。
关键词： 毫米波、噪声系数、pHEMT、5G、低噪声放大器、砷化镓
更新于2025-09-23 15:22:29
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[IEEE 2018年第五代移动通信世界论坛(5GWF) - 美国加利福尼亚州硅谷 (2018.7.9-2018.7.11)] 2018 IEEE 5G世界论坛(5GWF) - 面向24GHz与28GHz宽带5G解决方案的封装高功率前端?？?
摘要： 本文介绍了工作在24-31GHz频段的宽带塑料低成本封装5G高功率前端（HPFE）的实现方案与特性。该演示样机包含采用混合工艺技术实现的发射与接收通路：碳化硅基150纳米氮化镓（AlGaN/GaN on SiC）与150纳米砷化镓（GaAs）。发射通路（Tx）的连续波（CW）实测功率结果显示，在24-31GHz频段内最大输出功率（POUT,Tx）超过2瓦（33.5dBm），漏极效率（DE）达25%，功率附加效率（PAE）为24%，插入增益（GI,Tx）为36dB。接收通路（Rx）在同一频段内呈现30毫瓦（15.5dBm）的最大输出功率（POUT,Rx），平均噪声系数（NF）为3.6dB，对应插入增益（GI,Rx）为20dB。通过采用数字预失真（DPD）技术测试多种25/50及100MHz信道间隔的M-QAM调制信号，HPFE/Tx通路在线性输出功率17dBm至25dBm范围内实现了48dBc的邻道泄漏比（ACLR）和40dB的均方误差（MSE）。与另外两款用于电信应用的线性砷化镓放大器相比，该HPFE在保持更高效率的同时展现出相当的线性性能。得益于混合工艺方案，该设计在集成度、电性能与成本之间实现了优化平衡。
关键词： 单片微波集成电路（MMIC）、赝调制高电子迁移率晶体管（PHEMT）、砷化镓、塑料封装、收发通道、低噪声放大器、氮化镓、功率放大器、开关
更新于2025-09-23 15:21:01
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采用电流复用和自偏置技术的宽带GaAs pHEMT低噪声驱动放大器
摘要： 采用0.15微米GaAs pHEMT工艺设计并制造了一款K/Ka波段两级低噪声驱动放大器。为实现低功耗宽带驱动能力，采用电流复用技术使两个晶体管共用同一电源，理论上将总电流消耗减半。同时运用自偏置技术以最小化外部电源焊盘和芯片面积，将供电焊盘数量减至最少（1个电源焊盘和1个地焊盘）。文中还重点针对噪声系数和P1dB指标优化，阐述了电路拓扑分析与设计流程。该低噪声驱动放大器展现出超过11GHz的-3dB带宽、17dB功率增益、2.2dB带内平均噪声系数及6dBm带内平均输出P1dB，工作于3.3V电源时直流功耗仅9.1mA。芯片尺寸为1mm×1.5mm，仅需1个外部直流供电焊盘（3.3V）和1个地焊盘（0V）。与典型双偏置两级低噪声驱动放大器相比，在性能相当的情况下，本款MMIC对体积受限和功耗约束应用场景更具吸引力。
关键词： Ka波段，赝高电子迁移率晶体管（pHEMT），砷化镓，低噪声驱动放大器，单片微波集成电路（MMIC）
更新于2025-09-22 19:46:08
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[IEEE 2018年第14届国际固态与集成电路技术会议(ICSICT) - 青岛(2018.10.31-2018.11.3)] 2018年第14届IEEE国际固态与集成电路技术会议(ICSICT) - 一款适用于毫米波5G基站的1.2分贝噪声系数、17分贝增益宽带砷化镓低噪声放大器
摘要： 一款面向毫米波5G基站的24-30GHz低噪声放大器（LNA）被设计出来，其噪声系数（NF）为1.2dB。该LNA采用两级结构，第一级利用源极退化电感实现噪声与输入匹配的同步优化；第二级采用相同结构以实现级间匹配以及增益与噪声优化的权衡。通过并联电阻电容结构来保证带宽和稳定性。仿真结果表明，该LNA实现了17.8dB的峰值增益，且1dB带宽超过6GHz，在该带宽范围内噪声系数低于1.35dB。
关键词： 低噪声放大器、pHEMT、毫米波、5G、砷化镓、噪声系数
更新于2025-09-23 10:13:50
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[IEEE 2019年第44届国际红外、毫米波及太赫兹波会议(IRMMW-THz) - 法国巴黎(2019.9.1-2019.9.6)] 2019年第44届国际红外、毫米波及太赫兹波会议(IRMMW-THz) - 针对InGaAs/InAlAs PHEMT器件，采用75纳米栅极长度与非对称栅极凹槽结构实现f<sub>max</sub>=800 GHz
摘要： 本文采用复合InGaAs/InAs/InGaAs沟道和不对称栅极凹槽的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)，实现了800 GHz的最高振荡频率(fmax)和260 GHz的电流增益截止频率(fT)。该结果采用75 nm长栅极(LG)实现。噪声性能测试至110 GHz，在40 GHz(94 GHz)时获得最小噪声系数NFmin = 0.8 dB(1.8 dB)及对应增益Gass = 16 dB(11.6 dB)。此外，将漏极凹槽长度延长至225 nm并减小栅源间距200 nm，可实现fmax = 1.2 THz。
关键词： 噪声性能，InGaAs/InAs/InGaAs沟道，非对称栅极凹槽，PHEMT，高频
更新于2025-09-16 10:30:52
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[2018年IEEE国际射频集成技术研讨会(RFIT) - 澳大利亚墨尔本(2018.8.15-2018.8.17)] 2018年IEEE国际射频集成技术研讨会(RFIT) - 一种用于射电天文接收机的0.15微米GaAs pHEMT全集成S波段差分低噪声放大器
摘要： 本文介绍并实现了一款采用0.15微米GaAs pHEMT工艺、面向平方公里阵列（SKA）天文接收机的S波段高增益全集成MMIC低噪声放大器（LNA）。该设计采用低损耗输入噪声匹配网络，并在第一级LNA核心与第二级放大器之间引入全片上LC巴伦以改善系统整体噪声系数。该LNA的1dB带宽覆盖1.5至3.7GHz范围，实测结果显示其增益达31.8dB，带内平均噪声系数为0.73dB，直流功耗25mW，芯片面积为2.5×2mm2。本文同时提出了一种针对三端口差分输入-单端输出放大器的噪声系数测量方法。
关键词： 差分低噪声放大器，砷化镓赝调制掺杂场效应晶体管（GaAs pHEMT），平方公里阵列（SKA），全集成，平衡-不平衡转换器，宽带，S波段
更新于2025-09-04 15:30:14
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[IEEE 2018年第13届欧洲微波集成电路会议(EuMIC) - 西班牙马德里(2018.9.23-2018.9.25)] 2018年第13届欧洲微波集成电路会议(EuMIC) - 封装型氮化镓X波段功率放大器系列的设计与实现
摘要： 本文描述了两款封装于商用封装中的宽带AB类高功率放大器（PA）的设计与验证结果。两款放大器均基于WIN半导体公司的0.25微米碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）技术设计。所选GaN工艺采用紧凑型共源（CS）晶体管布局，配备独立源极接地过孔。该系列覆盖整个X波段频率范围：首款设计调谐于7-11 GHz频段，第二款设计调谐于10-12 GHz频段。两款设计在整个带宽范围内饱和输出功率均超过25瓦，峰值功率附加效率达30%。文中给出了实现宽带性能与输出功率平衡的多级功率合成匹配策略。通过对PA单片微波集成电路（MMIC）设计的深入讨论，并结合封装热管理（包括PCB设计与主动冷却方法）的探讨，完整呈现了这一功能完备的PA系列。
关键词： 赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）、X波段、宽带放大器、高效率、功率放大器（PA）、热分析、电磁仿真、单片微波集成电路（MMIC）
更新于2025-09-04 15:30:14
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铝转化AlAs纳米薄膜上的外延GaAs和pHEMT
摘要： 半导体与金属之间的异质外延生长推动了新型器件的发展并实现了多种应用。在本研究中，我们探究了在纳米尺度铝转化AlAs薄膜上生长GaAs层的过程。通过多种材料表征方法及制备高电子迁移率晶体管证实，所生长的GaAs层为单晶且具有高质量。我们发现一个名为"铝的砷化"的有趣过程对成功实现外延生长起关键作用。本研究为未来各类器件应用中生长半导体/金属异质结构开辟了新途径。
关键词： 外延生长、pHEMT、砷化、AlAs（砷化铝）、GaAs（砷化镓）
更新于2025-09-04 15:30:14