研究目的
研究在纳米尺度铝转化AlAs薄膜上外延生长GaAs层，以开发新型器件及应用。
研究成果
成功实现了在纳米级铝转化AlAs纳米薄膜顶部外延生长高质量GaAs层。该成果归因于铝转化为AlAs的砷化过程以及可恢复的粗糙表面。这项工作为在金属模板上实现GaAs的异质外延生长铺平了道路，可应用于多种集成场景。
研究不足
该研究受限于直接在金属上生长单晶半导体时因晶体结构、晶格常数和化学性质不匹配而产生的挑战。实验成功高度依赖于铝薄膜的厚度以及砷化处理过程。
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铝转化AlAs纳米薄膜上的外延GaAs和pHEMT
DOI：10.1063/1.5040382
期刊：AIP Advances
出版年份：2018
更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要：
半导体与金属之间的异质外延生长推动了新型器件的发展并实现了多种应用。在本研究中，我们探究了在纳米尺度铝转化AlAs薄膜上生长GaAs层的过程。通过多种材料表征方法及制备高电子迁移率晶体管证实，所生长的GaAs层为单晶且具有高质量。我们发现一个名为"铝的砷化"的有趣过程对成功实现外延生长起关键作用。本研究为未来各类器件应用中生长半导体/金属异质结构开辟了新途径。
作者：
Chia-Chu Cheng，Chu-Chun Wu，Yen-Ting Fan，Jenq-Shinn Wu，Sheng-Di Lin
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