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采用电流复用和自偏置技术的宽带GaAs pHEMT低噪声驱动放大器

DOI:10.1007/s10470-019-01404-2 期刊:Analog Integrated Circuits and Signal Processing 出版年份:2019 更新时间:2025-09-22 19:46:08
摘要: 采用0.15微米GaAs pHEMT工艺设计并制造了一款K/Ka波段两级低噪声驱动放大器。为实现低功耗宽带驱动能力,采用电流复用技术使两个晶体管共用同一电源,理论上将总电流消耗减半。同时运用自偏置技术以最小化外部电源焊盘和芯片面积,将供电焊盘数量减至最少(1个电源焊盘和1个地焊盘)。文中还重点针对噪声系数和P1dB指标优化,阐述了电路拓扑分析与设计流程。该低噪声驱动放大器展现出超过11GHz的-3dB带宽、17dB功率增益、2.2dB带内平均噪声系数及6dBm带内平均输出P1dB,工作于3.3V电源时直流功耗仅9.1mA。芯片尺寸为1mm×1.5mm,仅需1个外部直流供电焊盘(3.3V)和1个地焊盘(0V)。与典型双偏置两级低噪声驱动放大器相比,在性能相当的情况下,本款MMIC对体积受限和功耗约束应用场景更具吸引力。
作者: Xu Cheng,Liang Zhang,Feng-Jun Chen,Xianjin Deng
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研究概述 实验方案 设备清单

设计并制造一种采用电流复用和自偏置技术的宽带GaAs pHEMT低噪声驱动放大器,以实现K/Ka波段应用中的低功耗和减小芯片尺寸。

所提出的低噪声驱动放大器实现了出色的宽带性能,具有低噪声系数、高增益和低功耗的特点,适用于体积受限和功率受限的应用场景。电流复用与自偏置技术的结合有效降低了功耗和芯片面积,实测结果验证了该设计方法的可行性。

该技术为实现电流复用需要高供电电压(3.3V),可能不适用于低电压应用。由于功耗限制,牺牲了晶体管尺寸选择的灵活性,且该设计专为砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)工艺定制,在功率密度或频率范围等方面,相比氮化镓(GaN)或磷化铟(InP)等其他工艺可能存在局限。

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