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石墨烯中的等双轴压缩应变：格林艾森参数与屈曲脊线
摘要： 我们报道了在真空热循环作用下，SiO?和Si?N?衬底上单层石墨烯产生的等双轴压缩应变。该等双轴应变源于石墨烯与衬底之间的热膨胀系数失配以及石墨烯在衬底上的滑移。值得注意的是，石墨烯中诱导产生的屈曲脊线呈现出反映石墨烯晶体结构对称性的图案，这与我们的分子动力学（MD）模拟结果高度吻合。此外，这些热致屈曲脊线与化学气相沉积（CVD）和碳化硅升华法制备的石墨烯中的屈曲脊线相似，表明其形成机制具有同源性。
关键词： 双轴应变、热循环、石墨烯、屈曲脊、分子动力学模拟、格林艾森参数
更新于2025-09-09 09:28:46
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在200毫米晶圆硅技术环境中对石墨烯进行处理与集成
摘要： 我们展示了在200毫米晶圆试验线上进行石墨烯清洁、图形化、封装和接触等工艺的见解，该试验线常规用于硅基集成电路制造。我们演示了关键工艺步骤，并讨论了需要克服的挑战与障碍，以实现这种材料与硅技术的集成。
关键词： 接触、图案化、石墨烯、硅技术、封装
更新于2025-09-09 09:28:46
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采用单层石墨烯作为电极的单层ReS?场效应晶体管
摘要： 石墨烯的原子级薄度、优异的载流子迁移特性及栅极可调带结构，使其成为组装超薄电子器件的潜在电极材料。本研究展示了以剥离单层（ML）ReS?为沟道半导体、剥离单层石墨烯为源漏电极的背栅场效应晶体管。当石墨烯被封装在SiO?/Si衬底与ReS?之间时，其G峰和2D峰显著硬化且强度比增大。得益于ML-ReS?优异的电子传输特性及底层ML-石墨烯的栅极可调费米能级，该晶体管展现出超过10?的开/关电流比、约1.1 cm2V?1s?1的迁移率以及每十倍频约740 mV的亚阈值摆幅。本工作表明单层石墨烯是制备原子级薄ReS?电子器件的优异电极材料。
关键词： 场效应晶体管，石墨烯，二维材料，二硫化铼
更新于2025-09-09 09:28:46
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石墨烯中超快光致发光的门控开关
摘要： 通过电学手段调控光学特性是光电子应用的关键。对于原子级厚度的二维材料而言，其天然优势在于可通过电栅压效应便捷调控载流子掺杂，进而可能影响光学特性。基于此优势，我们报道了单层石墨烯超快上转换光致发光的电栅压开关效应。通过石墨烯中单光子带间跃迁的泡利阻塞效应，该发光可被完全关闭，其开关比超过100倍——相较于其他二维半导体及三维体材料具有显著优势。采用包含热载流子动力学与载流子-光学声子相互作用的双温模型，可完美描述该发光的化学势与泵浦光强依赖关系。这种可电栅控且无背景干扰的光致发光，将为石墨烯基超快光电子应用开辟新途径。
关键词： 超快光致发光、栅极开关、热载流子、石墨烯、光电子学、双温模型
更新于2025-09-09 09:28:46
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外延石墨烯上低功函数金属的表面电势与薄膜质量
摘要： 已知沉积在石墨烯上的金属薄膜会影响其电子特性，但对于石墨烯与极低功函数稀土金属的相互作用知之甚少。本研究通过开尔文探针力显微镜（KPFM）测量了多种金属沉积在n型外延石墨烯（EG）上的功函数，对比了稀土金属（镨、铕、铒、镱和钇）与常用贵金属（铬、铜、铑、镍、金和铂）的行为差异。稀土薄膜氧化迅速，在石墨烯上呈现独特特性。研究发现低功函数组的实测功函数普遍高于预测值（贵金属则无此现象），这很可能是测量过程中快速氧化所致。部分低功函数金属与石墨烯存在相互作用，例如铕在金属-石墨烯边界处表现出键合异常。我们未观察到金属功函数与光电压之间存在关联，表明金属-石墨烯界面特性是更关键的决定因素。对于需要在石墨烯上制备低功函数电接触的未来应用，镱成为最佳选择——尽管对氧化敏感，但镱薄膜具有最强的光电压响应，且能保持约5纳米的相对较低表面粗糙度。
关键词： 功函数，开尔文探针力显微镜，光电压，稀土金属，石墨烯
更新于2025-09-09 09:28:46
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还原氧化石墨烯/金属MoSe2:Cu纳米片纳米结构——通过化学工艺生长，用于高效水分解
摘要： 具有金属1T结构的过渡金属二硫化物因其独特的光电特性，在高性能器件应用中备受关注。迄今为止，一步法合成1T-MoSe2仍是一项挑战。本研究提出一种简便的一步法合成还原氧化石墨烯/1T相MoSe2:Cu纳米片的方法。实验结果表明，通过简单化学溶液反应制备的MoSe2具有1T结构?；乖趸≧GO）的引入和铜掺杂虽未显著改变物相结构，但降低了平均粒径。1T结构与铜掺杂及MoSe2/RGO界面效应协同作用，显著提升了该纳米结构的导电性和光电导性能。因此，铜掺杂与RGO引入还增强了析氢催化活性与稳定性，使RGO/MoS2:Cu纳米片成为最具活性和稳定性的析氢催化剂。
关键词： 二硫化钼，水分解，石墨烯，金属结构，纳米结构
更新于2025-09-09 09:28:46
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二维电子学与光电子学：现状与未来
摘要： 自十多年前成功分离出石墨烯以来，研究人员已对多种二维层状材料展开研究。这些材料具有广泛的电子特性，包括金属、半金属、半导体和绝缘体。其中许多二维材料在电子和光电子应用领域展现出良好前景。
关键词： 过渡金属二硫化物、黑磷、光电子学、电子学、二维材料、石墨烯
更新于2025-09-09 09:28:46
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通过电门控调控石墨烯/硫化镓异质结构中的电子特性和肖特基势垒
摘要： 本研究采用密度泛函理论，从理论上研究了基于石墨烯和硫化镓（GaS）的范德华异质结构（vdWH）的结构、电子特性及肖特基势垒。我们发现石墨烯/GaS vdWH保持了石墨烯和GaS单层材料卓越的本征特性。此外，在该异质结构的基态中形成了具有0.51 eV低肖特基势垒的n型肖特基接触。特别值得注意的是，我们的结果表明施加电栅压可有效调控肖特基势垒和接触类型。在电栅压作用下，该vdWH中观察到n型肖特基接触向p型转变以及肖特基接触向欧姆接触的转变。这些结果为范德华异质结构在未来纳米电子和光电器件中的应用展现了巨大潜力。
关键词： 电控门、硫化镓、肖特基势垒、石墨烯
更新于2025-09-09 09:28:46
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银纳米线/石墨烯纳米复合材料的自组装合成及其对导电胶性能的影响
摘要： 在电子封装技术的最新进展中，导电胶（ECAs）因其环保且易于应用而备受研究者关注。与传统电子导电胶相比，ECAs还具有更低的操作温度和体积电阻率。在ECAs中，导电填料对提升导电性和强度起着关键作用。本研究通过简便的自组装方法成功制备了银纳米线/石墨烯纳米复合材料（AgNWs-GNs）作为填料添加剂。采用FTIR（傅里叶变换红外光谱）、XRD（X射线衍射）、XPS（X射线光电子能谱）、TEM（透射电子显微镜）和拉曼测试对制备的纳米复合材料进行表征，证实了合成工艺的成功性。研究将不同含量的AgNWs-GNs作为添加剂应用于微米级片状银填料中，探讨了其对ECAs性能的影响。结果表明，该复合材料能显著提升ECAs的电导率和剪切强度：当添加0.8% AgNWs/GNs（AgNWs与氧化石墨烯质量比为4:1）时，ECAs体积电阻率最低达9.31×10?? Ω·cm（比无填料的空白样品降低95.4%）；而添加0.6% AgNWs/GNs（AgNWs与氧化石墨烯质量比为6:1）时，ECAs剪切强度最高达14.3 MPa（比空白样品提高68.2%）。
关键词： 导电胶、体积电阻率、石墨烯、银纳米线
更新于2025-09-09 09:28:46
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可调谐与可重构超材料的最新进展
摘要： 超材料由被称为人工原子的纳米结构组成，这些纳米结构能赋予超材料天然材料所不具备的特殊性能。纳米结构本身及其排列方式决定了超材料的特性。然而传统超材料通常具有固定属性，这限制了其应用范围。因此，超材料的实际应用需要开发可调谐性。本文综述了通过不同机制实现可调谐与可重构超材料的研究：包括诱导温度变化、光照照射、施加机械形变以及电磁场作用。我们随后分析了每种机制的优缺点，并阐释了调谐产生的结果或效应，同时介绍了针对各类可调谐超材料缺陷进行改进或优势强化的研究。
关键词： 等离子体学、超表面、氧化铟锡、波前工程、相变材料、彩色滤光片、完美吸收器、石墨烯
更新于2025-09-09 09:28:46