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M300L4 发光二极管

M300L4

分类： 发光二极管

厂家： 索雷博

产地： 美国

型号： M300L4

更新时间： 2023-07-07T07:39:47.000Z

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简介：

Deep UV (280 nm) Mounted LED, 350 mA, 25 mW

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概述

Thorlabs Inc的M300L4是一款LED，电流为350 mA，正向电压为8 V，功率为40至47 MW.有关M300L4的更多详细信息，请联系我们。

参数

  • 颜色 / Colors : Deep UV

图片集

M300L4图1

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  • 通过修饰有前景的降冰片二烯光开关来调控分子太阳能热性能
    梅尔文-瓦格重排 共轭 张力分子 光致变色 能量密度

    对降冰片二烯-四环烷体系进行精准靶向修饰，有望获得具有卓越太阳能存储潜力的分子。本研究报道了经典化合物2-氰基-3-茴香基降冰片二烯（NBD5）衍生物的合成。通过两步反应将氰基转化为丙烯腈和丙烯酸酯衍生物，成功延伸了共轭体系。虽然这种修饰使吸收光谱红移，但亚稳态四环烷表现出极短的寿命。同时，在三卤化铝存在下用酰卤处理NBD5，通过Meerwein-Wagner重排生成7-乙酰基降冰片烯。后续转化实现了在分子骨架7位引入不同空间位阻基团的降冰片二烯合成。研究发现该位点取代基体积越大，四环烷构型越稳定。该反应序列可制备适用于民用供暖分子太阳能热应用的降冰片二烯衍生物，尽管其能量密度略有降低。

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  • 基于多层PdSe?/金字塔状硅异质结的光限制效应诱导高灵敏度自驱动近红外光电探测器及图像传感器
    光电器件 近红外光 光操控 黑硅 二维材料

    本研究展示了一种基于PdSe?/金字塔硅异质结阵列的高灵敏度自驱动近红外（NIR）光探测器，该阵列通过简单硒化预沉积在黑硅上的Pd纳米薄膜制备而成。所构建的混合器件在零偏压980 nm光照下展现出优异的光响应性能：开关比高达1.6×10?、响应度为456 mA W?1、比探测率最高达9.97×1013琼斯。这种较高灵敏度可归因于金字塔微结构的光捕获效应，有限时域差分数值模拟证实了该机制。此外，得益于PdSe?的宽光学吸收特性，该器件对1300、1550和1650 nm等超出硅基器件光响应范围的近红外光也表现出显著敏感性。研究还发现该PdSe?/金字塔硅异质结器件可作为近红外光传感器，能清晰记录分别由980 nm和1300 nm光照产生的"树"与"房屋"图像。

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实验方案推荐
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  • 化学实验方案

    1. 实验设计与方法选择：本研究通过化学修饰降冰片二烯（NBD5）的C2和C7位点合成衍生物，以调控其太阳能存储性能。采用的方法包括还原反应、Knoevenagel缩合、Meerwein-Wagner重排及消除反应。 2. 样本选择与数据来源：以文献方法合成的NBD5为起始原料，制备并表征了衍生物。 3. 实验仪器与材料清单：设备包括核磁共振波谱仪（Varian 400 MHz、Varian 500 MHz、Bruker 500 MHz）、紫外-可见分光光度计（Cary 60、Cary 100）、差示扫描量热仪（Mettler Toledo DSC 2）、红外光谱仪（Perkin-Elmer Frontier FT-IR）及高分辨质谱仪（Agilent 1260 Infinity配APCI源）。试剂均购自商业渠道。 4. 实验步骤与操作流程：合成过程涉及DIBALH还原、膦酸酯缩合、乙酰卤/三卤化铝重排、乙二醇?；ぜ癒OtBu消除等反应。产物经柱层析纯化，并通过核磁、红外、紫外-可见光谱及差示扫描量热分析进行表征。光开关测试使用LED灯（Thorlabs M365F1、M310L3、M340L4）和TLC灯（Vilber Lourmet）。 5. 数据分析方法：动力学数据通过紫外-可见光谱测定并用Eyring方程分析，量子产率采用光度测定法测量，差示扫描量热仪用于储能性能测试。

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  • 光电信息科学与工程实验方案

    1. 实验设计与方法选择：通过直接在金字塔形硅表面硒化Pd纳米薄膜制备该器件，采用时域有限差分（FDTD）建模模拟电场分布。 2. 样品选择与数据来源：金字塔形硅通过n型轻掺杂硅片的碱蚀刻法制备，在其表面生长PdSe?薄膜。 3. 实验设备与材料清单：场发射扫描电镜（SU8020）、原子力显微镜（本原纳米科技CSPM-4000）、X射线衍射仪（理学D/max-rB）、高分辨透射电镜（JEOL JEM-2100F）、拉曼光谱仪（HORIBA Jobin Yvon LabRAM HR800）、能谱仪（SU8020）、X射线光电子能谱仪（ESCALAB250Xi）、紫外-可见分光光度计（日本岛津UV-2550）、半导体特性分析系统（Keithley 2400）、不同波长激光二极管（980 nm Tanon公司UV-100、1300 nm Thorlabs M1300L3、1550 nm Thorlabs M1550L3、1650 nm Thorlabs M1650L3）。 4. 实验流程与操作步骤：通过简易碱蚀刻法合成金字塔形硅，在其表面生长PdSe?薄膜，采用多种技术对器件进行表征。 5. 数据分析方法：根据给定公式计算响应度、外量子效率（EQE）和比探测率。

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厂家介绍

Thorlabs致力于以快速有效的服务，为客户供应高品质的光电产品及附属产品。索雷博, 光学平台, 光学元件, 位移台, 光纤跳线, 激光器, 二极管驱动, 宽谱光源, 光电探测, 光束分析, OCT成像, 成像系统, 压电陶瓷, 光电实验室

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