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在当今信息安全形势日益严峻的背景下，传统的加密技术正面临巨大挑战。你是否曾好奇，是否存在一种几乎无法被破解的通信方式？“**量子通信的主要工作原理是什么？**”这不仅是一个前沿的科学问题，更是电子电工行业未来发展的关键方向。它利用量子力学的基本原理，如量子叠加和量子纠缠，为信息传输构建了一道天然的安全屏障，其潜力远超基于计算复杂性的经典加密算法。对于从事光纤
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概述
Thorlabs Inc的NE2R60A是一款中心波长（CWL）为633 nm、滤波器直径为50.8 mm（2英寸）的光学滤波器。有关NE2R60A的更多详细信息，请联系我们。
参数
- 过滤器类型 / Filter Type : Absorptive Neutral Density Filter, Neutral Density Filter
- RoHS / RoHs : Yes
- 过滤器形状 / Filter Shape : Round
- 基底/材料 / Substrate/Material : NG1
- 滤波器直径 / Filter Diameter : 50.8 mm (2 Inch)
- 表面质量 / Surface Quality : 40-20 scratch-dig
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采用0.35微米CMOS工艺制造的面积达9平方毫米的硅光电倍增管
互补金属氧化物半导体 硅光电倍增管（SiPM） 雪崩击穿结构 脑正电子发射断层扫描传感器
采用标准互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺制造的硅光电倍增管，是现代弱光子通量传感器应用的基础。这类器件实际上能将基于晶体管的电子元件集成于传感器内部，并提供智能化的读出策略。本文研究了0.35微米CMOS工艺在大面积器件上的可扩展性，报道了总面积分别为1平方毫米、4平方毫米和9平方毫米的硅光电倍增管的设计与特性。串扰、420纳米波长下的光子探测效率、2.5伏过压增益以及击穿电压温度系数均与传感器总面积无关，其数值分别为10%、35%、2.5×10^6和35毫伏/开尔文。暗计数率随器件总面积按180千赫兹/平方毫米的比例增长。总输出电容、单光子信号衰减时间以及单光子时间分辨率则与器件面积相关：1平方毫米、4平方毫米和9平方毫米硅光电倍增管分别获得66.9皮法、270.2皮法和554.0皮法的电容值；(27.1±0.1)纳秒、(50.8±0.1)纳秒和(78.2±0.1)纳秒的衰减时间；以及(77.97±0.51)皮秒、(201.67±0.98)皮秒和(282.28±0.86)皮秒的单光子时间分辨率。
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电子科学与技术实验方案
1. 实验设计与方法选择：本研究采用0.35微米CMOS工艺设计并表征了面积分别为1平方毫米、4平方毫米和9平方毫米的硅光电倍增管（SiPM）。研究方法包括电流-电压特性测试、暗计数率与串扰测量、增益测量、光子探测效率测量以及单光子时间分辨率测量。 2. 样本选择与数据来源：从10个晶圆中随机选取芯片，共制备120个SiPM器件样本。 3. 实验设备与材料清单：设备包括Keithley 2636源表、Lakeshore 325温控仪、GDC-J25真空电磁阀、Agilent B1500A半导体分析仪、Keithley PCT-CVU电容-电压计、CAEN N844阈值甄别器、Keysight 81133A脉冲模式发生器、PicoQuant LDH-P-C-440激光二极管、PicoQuant PDL 800-B激光驱动器、Thorlabs NE10A和NE60A滤光片、Thorlabs ED1-C20-MD漫射器、Tektronix DPO71604B数字示波器及宽带电压放大器。材料为采用0.35微米CMOS技术制造的SiPM器件。 4. 实验流程与操作步骤：实验流程包括在不同温度下测量电流-电压曲线、在遮光箱内测量暗计数率与串扰、利用LED照明测量增益、通过单色仪系统测量光子探测效率、采用脉冲激光测量单光子时间分辨率。数据采集与分析使用指定设备与软件完成。 5. 数据分析方法：数据分析包含通过数值微分法确定击穿电压、采用阈值扫描法测量暗计数率、通过电荷积分法计算增益、利用光谱测量法测定光子探测效率、结合波形分析与线性插值法获取时间分辨率。
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厂家介绍
Thorlabs致力于以快速有效的服务，为客户供应高品质的光电产品及附属产品。索雷博, 光学平台, 光学元件, 位移台, 光纤跳线, 激光器, 二极管驱动, 宽谱光源, 光电探测, 光束分析, OCT成像, 成像系统, 压电陶瓷, 光电实验室
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