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SLD291VS 半导体激光器

SLD291VS

分类： 半导体激光器

厂家： Sony Semiconductor Solutions Corporation

产地： 日本

型号： SLD291VS

更新时间： 2024-08-27T07:37:33.000Z

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简介：

350 mW 850 nm Dia. 5.6mm Laser Diode

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概述

索尼半导体解决方案公司（Sony Semiconductor Solutions Corporation）的SLD291VS是一款激光二极管，波长为840至860 nm，输出功率为350 MW，工作电压为2.3至2.6 V，工作电流为400至470 mA.有关SLD291VS的更多详细信息，请联系我们。

参数

  • 应用 / Application : 3D Sensing, Depth Sensing, Gesture Recognition

图片集

SLD291VS图1

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厂家介绍

索尼的半导体业务始于1954年日本先进个晶体管的商业化。从那时起，我们继续为索尼的原创产品开发和市场创造做出贡献。在图像传感器方面，索尼在1980年将世界上先进台CCD彩色摄像机商业化，多年来推出了许多其他成功的产品。从2004年起，我们开始专注于低功耗、快速读出的CMOS图像传感器。
  • QFLD-635-80MAX
  • DFB-1632-005

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    图片 名称 分类 制造商 参数 描述
    • High Power Pulsed Laser Diodes 905D3JT09-Series 半导体激光器 高功率脉冲激光二极管 半导体激光器 Laser Components

      峰值辐射强度波长范围: 895-915nm 光谱带宽(50%强度点): 5.5nm 波长温度系数: 0.28nm/°C

      高功率脉冲激光二极管，采用多结设计，提供高达335瓦的功率输出，具有高效能和高可靠性，适用于多种应用场景。

    • ADL-66201TL 半导体激光器 红光激光二极管 半导体激光器 Arima Lasers

      光输出功率: 22mW LD反向电压: 2V PD反向电压: 30V

      ADL-66201TL是一款红光激光二极管，典型发射波长为658nm，额定输出功率为20mW，具有单横模发射特性，最高工作温度为60°C。该产品采用5.6mm TO-Can封装，并集成了PD，是许多工业应用中的高效辐射光源。

    • HSL-20 半导体激光器 高速扫描激光器 半导体激光器 Santec Corporation

      主扫描速率: 50或100±0.1kHz 最大光输出功率: ≤40mW 中心波长λc: 1280-1340nm

      HSL-20是一款基于MEMS的高速扫描激光器，结合了高速度操作和长相干长度，适用于SS-OCT成像的集成光源。该激光器提供高达100kHz的扫描速率，并可根据系统需求配置启动触发和k-clock。

    • R2+ 50W Pulsed Fiber Laser 半导体激光器 R2 + 50 W脉冲光纤激光器 半导体激光器 Brimo Technology Inc.

      平均功率: 50W 质心波长: 1064±3nm 可调重复频率范围: 50-2000kHz

      R2+ 50W脉冲光纤激光器是一款高性能的MOPA激光器，具有宽频率调制、高峰值功率和优异的光束质量，适用于多种材料加工和工业应用。

    • 2327 nm DFB Laser 半导体激光器 NL2327-B nm DFB激光器 半导体激光器 Norcada Lasers

      存储温度: -40~50 外壳工作温度: -20~50 热电冷却器电流: 2.3

      Norcada公司提供的2327 nm DFB激光器，型号为NL2327-B，具有高稳定性和高性能，适用于多种光电应用场景。

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