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Capacitance（pF）
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响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity（A/W）
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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S-200CL
厂家：OSI Optoelectronics
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PD1300-35T52
厂家：Ushio Inc.
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FCI-InGaAs-500
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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C30927EH系列 用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管
厂家：Excelitas Technologies
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C30645 and C30662 Series 高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管
厂家：Excelitas Technologies
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C30645L-080 and C30662L-200系列雪崩光电二极管
厂家：Excelitas Technologies
光电查为您提供958个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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LC系列
NP Photonics，Inc.的LC系列是波长为1030至1065 nm、功率为25至125 MW、输出功率（CW）为25至125 MW的激光器。有关LC系列的更多详细信息，请联系我们。
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VEMD10940FX01
光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 to 3.3 pFVishay Intertechnology的VEMD10940FX01是一款光电二极管，波长范围为950 nm，电容为1.5至3.3 PF，暗电流为1至10 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD10940FX01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器?？镻DM9113-CN
PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 550nm 上升时间: 1.8ns我们的新系列光电探测器模块（PMT）集成了直径为25毫米和30毫米的光电探测器以及低噪声、低功耗的高压电源，可用于圆柱形和矩形两种形式。该?？椴捎?V至15V范围内的低压电源供电，并通过选择第5节所示的三个高压控制选项之一来设置HVIS。
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BXT2S-68TE
光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: Flat SapphireOpto Diode Corporation的BXT2S-68TE是基于PbSe的单通道光电二极管，可为中红外应用提供最快的响应速度。它的峰值灵敏度波长为4.3~4.5μm，响应度为1.65×104~2.5×104V/W，有效元件面积为36mm2，最小探测率为1.5×1010cm Hz1/2W-1。其电阻为1-15 MΩ，时间常数为12-25μs.这款红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO8封装，具有平面蓝宝石窗口，适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。
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UDT-020D
光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 60 to 330 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的UDT-020D是波长范围为350至1100 nm、电容为60至330 PF、暗电流为0.5至10 nA、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W的光电二极管。
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光电倍增管
PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 390nm 上升时间: 2nsAdit Electron Tubes生产全系列光电倍增管。Adit品牌在西德克萨斯州制造。Electron Tubes品牌在西伦敦制造
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SC-10D
光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 300 pF 响应度/光敏度: 0.35 to 0.42 A/WOSI Laser Diode，Inc.的SC-10D是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为300 PF，暗电流为0.025至25 nA，响应度/光敏度为0.35至0.42 A/W，上升时间为1μs.有关SC-10D的更多详细信息，请联系我们。
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AXUV100Ti/C2
来自Opto Diode Corporation的AXUV100Ti/C2是波长范围为0.01至190 nm、电容为10至44 NF的光学检测器。有关AXUV100Ti/C2的更多详细信息，请联系我们。
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AXUV16ELG
Opto Diode Corporation的AXUV16ELG是一种光学检测器，波长范围为0.01至190 nm，上升时间为500 nsec，电容为40 PF.有关AXUV16ELG的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器?？镻DM9111-CN
PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 550nm 上升时间: 1.8ns我们的新系列光电探测器?？椋≒MT）集成了直径为25毫米和30毫米的光电探测器以及低噪声、低功耗的高压电源，可提供圆柱形和矩形两种形式。该?？椴捎?V至15V范围内的低压电源供电，并通过选择第5节所示的三个高压控制选项之一来设置HVIS。
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FCI-HR005
光电二极管材料: Silicon 电容: 0.8 pF 响应度/光敏度: 0.5 A/WOSI Laser Diode，Inc.的FCI-HR005是一种光电二极管，波长范围为850 nm，电容为0.8 PF，暗电流为0.02 nA，响应度/光敏度为0.5 A/W，上升时间0.75 ns.有关FCI-HR005的更多详细信息，请联系我们。
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S-120CL
光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 450 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/WOSI Laser Diode，Inc.的S-120CL是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为450 PF，暗电流为800 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W.S-120CL的更多详细信息见下文。
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FCI-InGaAs-75WCER
光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-75WCER是一种光电二极管，其波长范围为900至1700 nm，电容为0.65 PF，暗电流为0.03至2 nA，响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W，上升时间0.2 ns.有关FCI-InGaAs-75WCER的更多详细信息，请联系我们。
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PIN-6DI
光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 60 to 330 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/WOSI Laser Diode，Inc.的PIN-6DI是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为60至330 PF，暗电流为0.5至10 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W，上升时间为17 ns.有关引脚6DI的更多详细信息，请联系我们。
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