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- TT Electronics
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集电极发射极电压(击穿)
Collector Emitter Voltage (Breakdown)(V)
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集电极发射极电压(饱和)
Collector Emitter Voltage(Saturation)(mV)
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集电极暗电流
Collector-Dark Current(nA)
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发射极集电极电压(击穿)
Emitter Collector Voltage(Breakdown)(V)
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导通状态集电极电流
On-State Collector Current(mA)
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波长(光谱灵敏度)
Wavelength(Spectral Sensitivity)(nm)
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OP303SL
输入功率(辐照度): 0.4 mW/cm2 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP303SL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为1μA,集电极发射极电压(饱和)为1.1 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为3.6至12.0 mA.有关OP303SL的更多详细信息,请联系我们。
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OP538FA
输入功率(辐照度): 0.5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP538FA是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为225 nA,集电极发射极电压(饱和)为1.1 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为6.8 mA.有关OP538FA的更多详细信息,请联系我们。
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OP705C
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP705C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流1.50至4.85 mA.有关OP705C的更多详情,请联系我们。
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OP550C
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: YesTT Electronics的OP550C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.25至2.4 mA.有关OP550C的更多详情,请联系我们。
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OP506A
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP506A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流4.3 mA.有关OP506A的更多详细信息,请联系我们。
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OP509B
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP509B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.4 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流1.4至10.6 mA.有关OP509B的更多详细信息,请联系我们。
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OP555C
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP555C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.25至2.4 mA.有关OP555C的更多详情,请联系我们。
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OP593B
输入功率(辐照度): 1.7 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP593B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流2至4 mA.有关OP593B的更多详情,请联系我们。
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OP750C
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP750C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.85至2.8 mA.有关OP750C的更多详情,请联系我们。
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OP800D
输入功率(辐照度): 0.5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP800D是一款光电晶体管,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.45 mA,功耗为250 MW.有关OP800D的更多详情,请联系我们。
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OP775B
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP775B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流1.5至4.2 mA.有关OP775B的更多详情,请联系我们。
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OP593C
输入功率(辐照度): 1.7 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP593C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流1 mA.有关OP593C的更多详情,请联系我们。
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OP755B
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP755B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为1.5至4.2 mA.有关OP755B的更多详情,请联系我们。
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OP505B
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP505B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流2.15至5.95 mA.有关OP505B的更多详细信息,请联系我们。
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OP793D
输入功率(辐照度): 1.7 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP793D是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.9至7.5 mA.有关OP793D的更多详细信息,请联系我们。
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OP552C
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP552C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V、集电极暗电流100 nA、集电极发射极电压(饱和)0.40 V、发射极集电极电压(击穿)5 V、功耗100 MW.有关OP552C的更多详情,请联系我们。
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OP560C
输入功率(辐照度): 0.1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: YesTT Electronics的OP560C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)15 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)1.10 V,发射极集电极电压(击穿)2 V,导通状态集电极电流1.1 mA.有关OP560C的更多详情,请联系我们。
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OP793B
输入功率(辐照度): 1.7 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP793B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流1.65至4.55 mA.有关OP793B的更多详情,请联系我们。
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OP800C
输入功率(辐照度): 0.5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP800C是一款光电晶体管,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.9至3.6 mA,功耗为250 MW.有关OP800C的更多详细信息,请联系我们。
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OP599B
输入功率(辐照度): 0.25 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP599B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流1.2至3.85 mA.有关OP599B的更多详细信息,请联系我们。