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半导体激光器

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  • 光纤耦合的iFLEX-iRIS - 405nm 30mW 半导体激光器

    光纤耦合的iFLEX-iRIS - 405nm 30mW

    美国

    Qioptiq iFlex-IRIS?固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果，激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率，并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • 双波长激光二极管系统iFLEX-Gemini 488nm 60mW 半导体激光器

    双波长激光二极管系统iFLEX-Gemini 488nm 60mW

    美国

    iFLEX-Gemini?是Qioptiq紧凑但功能强大的双波长激光源，目前可用于一系列不同的波长对，例如488/640nm和405/515nm，是荧光、光谱和计量应用的理想选择，也可作为氩离子气体激光器的理想替代品。OutputKineFlex?光纤耦合系统提供单模、偏振保持输出，具有“即插即用”的多功能性，使其成为具有不断变化的需求和高性能标准的实验工作的理想选择。这种新的创新技术为设置和对准两个单独的激光源提供了一种紧凑且具有成本效益的替代方案，同时提供了比传统技术（如气体激光器）更长的长期可靠性和使用寿命。这使得iFlex-Gemini成为以简单易用的产品增强实验室能力的较佳选择。

  • iFLEX-Gemini 445nm 30mW双波长激光二极管系统 半导体激光器

    iFLEX-Gemini 445nm 30mW双波长激光二极管系统

    美国

    iFLEX-Gemini?是Qioptiq紧凑但功能强大的双波长激光源，目前可用于一系列不同的波长对，例如488/640nm和405/515nm，是荧光、光谱和计量应用的理想选择，也可作为氩离子气体激光器的理想替代品。OutputKineFlex?光纤耦合系统提供单模、偏振保持输出，具有“即插即用”的多功能性，使其成为具有不断变化的需求和高性能标准的实验工作的理想选择。这种新的创新技术为设置和对准两个单独的激光源提供了一种紧凑且具有成本效益的替代方案，同时提供了比传统技术（如气体激光器）更长的长期可靠性和使用寿命。这使得iFlex-Gemini成为以简单易用的产品增强实验室能力的较佳选择。

  • 15mW 488nm iFLEX2000 光纤耦合激光器 半导体激光器

    15mW 488nm iFLEX2000 光纤耦合激光器

    美国

    IFLEX2000TM是一款紧凑型激光二极管系统，采用?？榛ツ９庀舜湎低?。作为主动温度控制的直接结果，激光器是无跳模和波长稳定的。闭环控制提供了长期的功率稳定性和通过外部输出信号监控功率的能力。激光到光纤耦合器的运动学设计为单模和保偏光纤设计提供了真正的“即插即用”优势。亚微米重复性和亚微弧度稳定性意味着系统可以是“工厂设置”，并且对于多次移除和插入操作是稳定的。激光和光纤系统还针对不匹配的激光?？榻辛擞呕佣瞧魃杓铺峁┝苏嬲哪？榛鸵赘恍浴?/p>

  • 10mW 光纤耦合 iFLEX-iRIS - 730nm 半导体激光器

    10mW 光纤耦合 iFLEX-iRIS - 730nm

    美国

    Qioptiq iFlex-IRIS?固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果，激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率，并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • iFLEX-Gemini 488nm 25mW双波长激光二极管系统 半导体激光器

    iFLEX-Gemini 488nm 25mW双波长激光二极管系统

    美国

    iFLEX-Gemini?是Qioptiq紧凑但功能强大的双波长激光源，目前可用于一系列不同的波长对，例如488/640nm和405/515nm，是荧光、光谱和计量应用的理想选择，也可作为氩离子气体激光器的理想替代品。OutputKineFlex?光纤耦合系统提供单模、偏振保持输出，具有“即插即用”的多功能性，使其成为具有不断变化的需求和高性能标准的实验工作的理想选择。这种新的创新技术为设置和对准两个单独的激光源提供了一种紧凑且具有成本效益的替代方案，同时提供了比传统技术（如气体激光器）更长的长期可靠性和使用寿命。这使得iFLEX-Gemini成为以简单易用的产品增强实验室能力的较佳选择。

  • iFLEX-Q3紧凑型激光二极管模块 - 405nm 50mW 半导体激光器

    iFLEX-Q3紧凑型激光二极管模块 - 405nm 50mW

    美国

    IFLEX-Q3?是一款紧凑型激光二极管?？椋溆行⌒图す馔泛驮冻痰缱幽？?。作为主动温度控制的直接结果，激光器是无跳模和波长稳定的。闭环控制提供了长期的功率稳定性和通过外部输出信号监控功率的能力。二极管激光系统保证了长寿命，并以低幅度噪声提供出色的功率稳定性。所有型号均标配激光器电流和温度的联锁和输出诊断功能。

  • 15mW 488nm低功率iFLEX-Viper多波长激光器 半导体激光器

    15mW 488nm低功率iFLEX-Viper多波长激光器

    美国

    iFlex-Viper?是一款小型多线激光源，配有单模光纤传输系统。多达五个单独的激光器（选自405、445、488、532、561、640和780nm范围）被有效地组合并通过单模保偏光纤传输。作为主动温度控制的直接结果，该系统是无跳模和波长稳定的。闭环控制提供了长期的功率稳定性。IFLEX-VIPER保证使用寿命长，并提供出色的功率稳定性和低振幅噪声。新颖的设计和专有的制造工艺消除了用户对内部激光源进行对准的需要，激光到光纤耦合的运动学设计实现了真正的交钥匙安装和操作。

  • iFLEX-iRIS - 488nm 140mW 半导体激光器

    iFLEX-iRIS - 488nm 140mW

    美国

    Qioptiq iFlex-IRIS?固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果，激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。该功能提供高度稳定的输出功率，并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • 10mW 780nm 低功率iFLEX-Viper多波长激光器 半导体激光器

    10mW 780nm 低功率iFLEX-Viper多波长激光器

    美国

    iFlex-Viper?是一款小型多线激光源，配有单模光纤传输系统。多达五个单独的激光器（选自405、445、488、532、561、640和780nm范围）被有效地组合并通过单模保偏光纤传输。作为主动温度控制的直接结果，该系统是无跳模和波长稳定的。闭环控制提供了长期的功率稳定性。IFLEX-VIPER保证使用寿命长，并提供出色的功率稳定性和低振幅噪声。新颖的设计和专有的制造工艺消除了用户对内部激光源进行对准的需要，激光到光纤耦合的运动学设计实现了真正的交钥匙安装和操作。

  • iFLEX-Gemini 405nm 40mW 双波长激光二极管系统 半导体激光器

    iFLEX-Gemini 405nm 40mW 双波长激光二极管系统

    美国

    iFLEX-Gemini?是Qioptiq紧凑但功能强大的双波长激光源，目前可用于一系列不同的波长对，例如488/640nm和405/515nm，是荧光、光谱和计量应用的理想选择，也可作为氩离子气体激光器的理想替代品。OutputKineFlex?光纤耦合系统提供单模、偏振保持输出，具有“即插即用”的多功能性，使其成为具有不断变化的需求和高性能标准的实验工作的理想选择。这种新的创新技术为设置和对准两个单独的激光源提供了一种紧凑且具有成本效益的替代方案，同时提供了比传统技术（如气体激光器）更长的长期可靠性和使用寿命。这使得iFLEX-Gemini成为以简单易用的产品增强实验室能力的较佳选择。

  • 双波长激光二极管系统iFLEX-Gemini 405nm 25mW 半导体激光器

    双波长激光二极管系统iFLEX-Gemini 405nm 25mW

    美国

    iFLEX-Gemini?是Qioptiq紧凑但功能强大的双波长激光源，目前可提供一系列不同的波长对，例如488/640nm和405/515nm，是荧光、光谱和计量应用的理想选择，也可作为氩离子气体激光器的理想替代品。OutputKineFlex?光纤耦合系统提供单模、偏振保持输出，具有“即插即用”的多功能性，使其成为具有不断变化的需求和高性能标准的实验工作的理想选择。这种新的创新技术为设置和对准两个单独的激光源提供了一种紧凑且具有成本效益的替代方案，同时提供了比传统技术（如气体激光器）更长的长期可靠性和使用寿命。这使得iFlex-Gemini成为以简单易用的产品增强实验室能力的较佳选择。

  • 30mW 光纤耦合 iFLEX-iRIS - 505nm 半导体激光器

    30mW 光纤耦合 iFLEX-iRIS - 505nm

    美国

    Qioptiq iFlex-IRIS?固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果，激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率，并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • 高功率iFLEX-Viper多波长激光器640nm 40mW 半导体激光器

    高功率iFLEX-Viper多波长激光器640nm 40mW

    美国

    iFlex-Viper?是一款小型多线激光源，配有单模光纤传输系统。多达五个单独的激光器（选自405、445、488、532、561、640和780nm范围）被有效地组合并通过单模保偏光纤传输。作为主动温度控制的直接结果，该系统是无跳模和波长稳定的。闭环控制提供了长期的功率稳定性。IFLEX-VIPER保证使用寿命长，并提供出色的功率稳定性和低振幅噪声。新颖的设计和专有的制造工艺消除了用户对内部激光源进行对准的需要，激光到光纤耦合的运动学设计实现了真正的交钥匙安装和操作。

  • DPGAx1S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器

    DPGAx1S03H 脉冲激光二极管

    美国
    中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片多达4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心竞争力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • TPG2EW1S09 半导体激光器

    TPG2EW1S09

    美国

    Excelitas Technologies的TPG2EW1S09是一款GaAs脉冲半导体激光二极管，工作波长为895至925 nm.该激光器的峰值功率为85W，功率斜率为3W/A，光谱宽度（FWHM）为10nm，脉冲宽度为100ns.它的正向电压为13.5 V，阈值电流高达1.5 A.该激光二极管采用多层单片芯片设计，并在GaAs结构上制造。它采用类似于TO的T1?通孔塑料封装，非常适合激光雷达/飞行时间测量、激光测距、激光扫描/UGV、红外夜间照明、激光治疗、医疗和分析应用中的材料激发。

  • TPGEW1S09H 905纳米脉冲半导体激光器 半导体激光器

    TPGEW1S09H 905纳米脉冲半导体激光器

    美国
    中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225μm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1?（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225μm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

  • TPGAx2S09H 脉冲激光二极管 半导体激光器

    TPGAx2S09H 脉冲激光二极管

    美国
    中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间?？梢约跣÷龀蹇矶?，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • TPGAx2S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器

    TPGAx2S03H 脉冲激光二极管

    美国
    中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间?？梢约跣÷龀蹇矶?，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • TPGAx1S09H 脉冲激光二极管 半导体激光器

    TPGAx1S09H 脉冲激光二极管

    美国
    中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间?？梢约跣÷龀蹇矶龋佣市碓黾拥牡缌髑⒌贾赂叩姆逯倒夤β?。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。