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半导体激光器

已选
  • QSI(Quantum Semiconductor International)
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光电查为您提供69个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

  • QL85G63E 半导体激光器

    QL85G63E

    技术: Quantum Well 激光增益介质: GaAs Lasers

    Quantum Semiconductor International的QL85G63E是一款激光二极管，波长为845至855 nm，输出功率为15 MW，工作电压为2.2至2.4 V，工作电流为45至55 mA.有关QL85G63E的更多详细信息，请联系我们。

  • QL85D6S-A/B/C 半导体激光器

    QL85D6S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    QL85D6S-A/B/C（Quantum Semiconductor International）是一款激光二极管，波长为845至855 nm，输出功率为5 MW，工作电压为1.8至2.5 V，工作电流为15至30 mA.有关QL85D6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL80S4HD-Y 半导体激光器

    QL80S4HD-Y

    技术: Quantum Well

    Quantum Semiconductor International的QL80S4HD-Y是一种激光二极管，波长为803至813 nm，输出功率为500 MW，工作电压为2.2至3 V，工作电流为550至700 mA.有关QL80S4HD-Y的更多详细信息，请联系我们。

  • QL78J6S-A/B/C 半导体激光器

    QL78J6S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL78J6S-A/B/C是波长为775至795nm、输出功率为50mW、工作电压为2至2.8V、工作电流为75至100mA的激光二极管。有关QL78J6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL78I6S-A/B/C-L 半导体激光器

    QL78I6S-A/B/C-L

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    QL78I6S-A/B/C-L来自Quantum Semiconductor International，是一种激光二极管，波长为770至800 nm，输出功率为25 MW，工作电压为1.6至2.3 V，工作电流为30至60 mA.有关QL78I6S-A/B/C-L的更多详细信息，请联系我们。

  • QL78H6S-A/B/C 半导体激光器

    QL78H6S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL78H6S-A/B/C是波长为775至800 nm、输出功率为20 MW、工作电压为1.6至2.3 V、工作电流为20至50 mA的激光二极管。有关QL78H6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL78G6SF-1 半导体激光器

    QL78G6SF-1

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    Quantum Semiconductor International的QL78G6SF-1是一种激光二极管，波长为775至800 nm，输出功率为15 MW，工作电压为1.5至2.4 V，工作电流为35至50 mA.有关QL78G6SF-1的更多详细信息，请联系我们。

  • QL78F6GI-O1 半导体激光器

    QL78F6GI-O1

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL78F6GI-O1是波长为775至800 nm、输出功率为10 MW、工作电压为2至2.5 V、工作电流为33至44 mA的激光二极管。有关QL78F6GI-O1的更多详细信息，请联系我们。

  • QL78F6DF-1 半导体激光器

    QL78F6DF-1

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    Quantum Semiconductor International的QL78F6DF-1是一种激光二极管，波长为775至800 nm，输出功率为10 MW，工作电压为1.5至2.4 V，工作电流为25至40 mA.有关QL78F6DF-1的更多详细信息，请联系我们。

  • QL78D6S-A/B/C 半导体激光器

    QL78D6S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL78D6S-A/B/C是波长为770至800 nm、输出功率为5 MW、工作电压为1.9至2.3 V、工作电流为26至40 mA的激光二极管。有关QL78D6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL78C6S-A/B/C-L 半导体激光器

    QL78C6S-A/B/C-L

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    QL78C6S-A/B/C-L来自Quantum Semiconductor International，是一种激光二极管，波长为770至795 nm，输出功率为3 MW，工作电压为1.9至2.5 V，工作电流为20至33 mA.有关QL78C6S-A/B/C-L的更多详细信息，请联系我们。

  • QL68J6S-A/B/C 半导体激光器

    QL68J6S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL68J6S-A/B/C是波长为670至700 nm、输出功率为50 MW、工作电压为2至3 V、工作电流为100至140 mA的激光二极管。有关QL68J6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL68I6S-A/B/C 半导体激光器

    QL68I6S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    Quantum Semiconductor International的QL68I6S-A/B/C是一种激光二极管，波长为670至700 nm，输出功率为30 MW，工作电压为2至3 V，工作电流为59至140 mA.有关QL68I6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • ql68f6s-a/b/c-ls 半导体激光器

    ql68f6s-a/b/c-ls

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    QL68F6S-A/B/C-LS来自Quantum Semiconductor International，是一种激光二极管，波长为670至690 nm，输出功率为15 MW，工作电压为1.8至2.6 V，工作电流为20至40 mA.有关QL68F6S-A/B/C-LS的更多详细信息，请联系我们。

  • QL67F7S-A/B/C 半导体激光器

    QL67F7S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL67F7S-A/B/C是波长为660至680 nm、输出功率为10 MW、工作电压为2.3至2.6 V、工作电流为40至80 mA的激光二极管。有关QL67F7S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL67F6S-A/B/C 半导体激光器

    QL67F6S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL67F6S-A/B/C是波长为660至680 nm、输出功率为10 MW、工作电压为2.3至2.6 V、工作电流为50至70 mA的激光二极管。有关QL67F6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL67D7S-A/B/C 半导体激光器

    QL67D7S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    QL67D7S-A/B/C（Quantum Semiconductor International）是一款激光二极管，波长为660至680 nm，输出功率为5 MW，工作电压为2.3至2.6 V，工作电流为30至45 mA.有关QL67D7S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL67D6S-A/B/C 半导体激光器

    QL67D6S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL67D6S-A/B/C是波长为660至680 nm、输出功率为5 MW、工作电压为2.2至2.6 V、工作电流为44至70 mA的激光二极管。有关QL67D6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL65J7S-A/B/C 半导体激光器

    QL65J7S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL65J7S-A/B/C是波长为653至667 nm、输出功率为50 MW、工作电压为2.6至3 V、工作电流为90至120 mA的激光二极管。有关QL65J7S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL65I7S-A/B/C 半导体激光器

    QL65I7S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    Quantum Semiconductor International的QL65I7S-A/B/C是一种激光二极管，波长为658至665 nm，输出功率为30 MW，工作电压为2至2.7 V，工作电流为65至100 mA.有关QL65I7S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。