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  RLD65NZX2

  日本

  分类：半导体激光器

  厂家：ROHM Semiconductor

  Rohm Semiconductor的RLD65NZX2是波长为650至660 nm的激光二极管，输出功率为0至0.007 W，工作电压为2.3至2.6 V，工作电流为0.025至0.035 A，阈值电流为25至35 mA.有关RLD65NZX2的更多详细信息，请联系我们。

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  RLD65PZX2

  日本

  分类：半导体激光器

  厂家：ROHM Semiconductor

  Rohm Semiconductor的RLD65PZX2是波长为650至660 nm的激光二极管，输出功率为0至0.007 W，工作电压为2.3至2.6 V，工作电流为0.025至0.035 A，阈值电流为25至35 mA.有关RLD65PZX2的更多详细信息，请联系我们。

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  RLD65PZX3

  日本

  分类：半导体激光器

  厂家：ROHM Semiconductor

  Rohm Semiconductor的RLD65PZX3是波长为650至664 nm的激光二极管，输出功率为0至0.012 W，工作电压为2.3至2.7 V，工作电流为0.025至0.035 A，阈值电流为25至35 mA.有关RLD65PZX3的更多详细信息，请联系我们。

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  RLD78MFA7

  日本

  分类：半导体激光器

  厂家：ROHM Semiconductor

  Rohm Semiconductor的RLD78MFA7是波长为790nm的激光二极管，输出功率为0.00 3至0.0045W，工作电压为1.9V，工作电流为0.035A，阈值电流为25mA.有关RLD78MFA7的更多详细信息，请联系我们。

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  RLD78MZM7

  日本

  分类：半导体激光器

  厂家：ROHM Semiconductor

  来自Rohm Semiconductor的RLD78MZM7是波长为775至800nm、输出功率为0至0.02W、工作电压为1.7至2.2V、工作电流为0.007至0.02A、阈值电流为7至20mA的激光二极管。有关RLD78MZM7的更多详细信息，请联系我们。

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  RLD82PZJ1

  日本

  分类：半导体激光器

  厂家：ROHM Semiconductor

  Rohm Semiconductor公司的RLD82PZJ1是波长为812~832nm的激光二极管，输出功率为0~0.22W，工作电压为2.4~3.3V，工作电流为0.05~0.07A，阈值电流为50~70mA.有关RLD82PZJ1的更多详细信息，请联系我们。

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  RLD90QZW3

  日本

  分类：半导体激光器

  厂家：ROHM Semiconductor

  Rohm Semiconductor的RLD90QZW3是一种不可见的脉冲激光二极管，工作波长为905 nm.它提供了75W的峰值脉冲输出功率，脉冲宽度为50ns.该激光二极管的光束发散度为10度（平行）和25度（垂直），发射点精度为±150μm.其孔径尺寸为225×10μm.这款激光二极管需要16 V直流电源，阈值电流为0.9 A.它采用?5.6 mm TO-CAN封装，非常适合TOF传感器、测距仪、自动导引车（AGV）和安保应用。

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  RLD90QZW8

  日本

  分类：半导体激光器

  厂家：ROHM Semiconductor

  Rohm的RLD90QZW8是一款脉冲激光二极管，工作波长为905 nm.它产生峰值输出功率为120W的窄光发射图案，并且具有±150μm的发射点精度。该激光二极管的孔径为270×10μm，光束发散度为10度（平行）和25度（垂直）。阈值电流为1 A，正向电压为16 V，正向电流为42 A.该激光二极管采用φ5.6mm CAN封装，非常适合车载激光雷达、自动导引车（AGV）、TOF传感器和安防应用。

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  RLD94SAQ6

  日本

  分类：半导体激光器

  厂家：ROHM Semiconductor

  Rohm Semiconductor的RLD94SAQ6是一款红外VCSEL二极管，工作波长为940 nm.它的光输出功率为200mW，转换效率为33%。该激光二极管具有0.85W/A的斜率效率和13度的光束发散FWHM.它的正向电压为2 V，正向电流为300 mA，阈值电流为70 mA.这款VCSEL二极管采用超薄SMD封装，尺寸为3 X 2 X 0.77 mm，非常适合3D深度传感器、TOF传感器、红外照明、距离测量、障碍物检测和手势识别应用。