研究目的
研究采用曲面镜实现横向光学限制的氮化镓基垂直腔面发射激光器的连续波工作，以实现低阈值电流。
研究成果
该研究展示了一种采用曲面镜的氮化镓基垂直腔面发射激光器（VCSEL）的连续波工作模式，实现了此类器件有记录以来的最低阈值电流。这一进展对氮化镓基VCSEL的微型化具有重要意义。
研究不足
该研究未定量阐明阈值电流降低的机制。需要进一步调查以了解导致低阈值电流的因素。
1：实验设计与方法选择：
本研究聚焦于制备并表征一种基于GaN的VCSEL，采用曲面镜实现横向光学限制，通过硼离子注入实现横向电流限制。
2：样品选择与数据来源：
器件制备于{0001}晶向GaN衬底上，外延层包含n-GaN、量子阱和p-GaN。
3：实验设备与材料清单：
设备包括扫描电子显微镜（日立S-4700）、共聚焦激光扫描显微镜（基恩士VK-9710）、原子力显微镜（布鲁克Dimension Icon）及光谱分析仪（横河AQ6373）。材料包含ITO、Ta2O5/SiO2分布式布拉格反射镜（DBR）以及Ti/Pt/Au电极。
4：0）、共聚焦激光扫描显微镜（基恩士VK-9710）、原子力显微镜（布鲁克Dimension Icon）及光谱分析仪（横河AQ6373）。材料包含ITO、Ta2O5/SiO2分布式布拉格反射镜（DBR）以及Ti/Pt/Au电极。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：制备过程涉及外延生长、DBR形成、硼离子注入、电极制备、晶圆抛光、曲面镜制作及器件表征。
5：数据分析方法：
通过分析发射光谱与I-V特性确定阈值电流与激射波长。
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Cross-sectional scanning electron microscopy for dimensional characterization.
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Bruker
Measurement of the roughness of the top of the curved surface formed on GaN.
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