研究目的
研究硅基溶胶-凝胶SiO2表面状态并改善其湿法刻蚀特性以实现波导器件钝化。
研究成果
研究证实，溶胶-凝胶SiO2的抗蚀刻性能源于固化后形成的聚合物层。除700°C固化外，辅以等离子灰化处理可改善表面状态，从而实现常规湿法蚀刻，蚀刻速率达1800纳米/分钟。
研究不足
本研究仅限于SiO2形成的溶胶-凝胶法及其湿法刻蚀特性，未对其他SiO2形成方法及其刻蚀特性进行比较。
1：实验设计与方法选择：
本研究探究溶胶-凝胶法制备SiO2的过程，重点关注表面状态和湿法刻蚀特性。
2：样品选择与数据来源：
采用硅片作为溶胶-凝胶法制备SiO2的衬底。
3：实验设备与材料清单：
旋涂机、加热板、真空腔室、O2等离子体灰化仪、缓冲氢氟酸（BHF）。
4：实验步骤与操作流程：
溶胶-凝胶溶液配制、旋涂、后烘烤、固化、O2等离子体灰化及湿法刻蚀。
5：数据分析方法：
截面观察与刻蚀速率测量。
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spin coater
Used for spin coating the sol–gel solution onto the Si wafer.
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hot plate
Used for post baking the sample at 150 °C for 1 h.
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vacuum chamber
Used for curing the sample at 500 °C to 1000 °C.
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O2 plasma asher
Used for ashing the polymer layer on top of the sol–gel SiO2.
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buffered hydrogen fluoride
BHF
Used for wet etching the SiO2 layer.
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