研究目的
研究采用两种不同方法在(?2 0 1)取向β-Ga2O3单晶衬底上生长GaN基LED,以提高GaN外延层的晶体质量。
研究成果
该研究成功展示了在(?2 0 1) β-Ga2O3衬底上制备GaN基LED的两种方法,连续生长显示出晶体质量的提升。这些LED呈现出量子限制效应和屏蔽效应,尽管表面存在缺陷仍能成功运行。
研究不足
(?2 0 1)晶向β-Ga2O3衬底较差的热导率和单斜晶结构导致LED结构表面出现裂纹和凹坑,可能影响器件性能。
研究目的
研究采用两种不同方法在(?2 0 1)取向β-Ga2O3单晶衬底上生长GaN基LED,以提高GaN外延层的晶体质量。
研究成果
该研究成功展示了在(?2 0 1) β-Ga2O3衬底上制备GaN基LED的两种方法,连续生长显示出晶体质量的提升。这些LED呈现出量子限制效应和屏蔽效应,尽管表面存在缺陷仍能成功运行。
研究不足
(?2 0 1)晶向β-Ga2O3衬底较差的热导率和单斜晶结构导致LED结构表面出现裂纹和凹坑,可能影响器件性能。
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