研究目的
开发一种直接合成方法，用于制备自组装WSe2/MoS2异质结构阵列，以应用于下一代逻辑器件和光电子学领域。
研究成果
基于溶液的直接生长法成功制备出具有可控排列的WSe2/MoS2异质结构，展现出高整流特性和优异的光电性能。光电二极管阵列应用显示出检测光强和位置的潜力，表明该方法在大面积电子和光电器件领域具有可扩展的应用前景。
研究不足
合成过程可能需要进行优化，以实现更高结晶度和更大面积上的均匀性。尚未研究异质结构在不同环境条件下的性能。
1：实验设计与方法选择：
采用基于溶液的直接生长法，通过定向沉淀制备WSe2/MoS2异质结构。通过调控溶液内部对流（马兰戈尼流）来控制WSe2纳米线在MoS2纳米线上的排列取向。
2：样品选择与数据来源：
在SiO2/Si衬底上通过浸涂工艺形成MoS2纳米线，随后通过二次浸涂工艺形成WSe2纳米线。
3：实验设备与材料清单：
浸涂装置、SiO2/Si衬底、MoS2和WSe2前驱体材料、金属接触电极（Au/Ti和Au/Pd）。
4：实验步骤与操作流程：
先制备MoS2纳米线，再通过控制WSe2纳米线的沉淀形成具有特定取向的异质结构，最后沉积金属电极进行电学表征。
5：数据分析方法：
使用探针台和源表测量电学与光电特性，在不同波长和光强条件下测量光电响应。
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