研究目的
仅通过一个高温计的温度测量来估算晶圆表面温度。
研究成果
已提出两种用于估计旋转硅片表面温度的观测器算法。这两种算法均易于实现且计算量低。实际系统测试验证了所提观测器的有效性。
研究不足
该方法仅限于利用单台高温计的温度测量来估算旋转硅片的表面温度。观测器的性能仅在250摄氏度以上得到验证。
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基于分布参数法的LED加热硅晶圆表面温度估算方法
DOI：10.1109/tsm.2019.2931979
期刊：IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
出版年份：2019
更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要：
半导体行业的多种工艺都需要将硅晶圆加热至目标温度。该过程通常被称为快速热处理。然而，非接触式测量晶圆表面温度仍是一项重大挑战，尤其是对于旋转中的晶圆而言。由于硅在此波长范围内具有透明性，使用红外相机进行测量并不适用。虽然市面上有基于高温计原理的特殊传感器，但这类传感器只能测量单点表面温度。本文提出了一种观测器方法，仅通过单个高温计的温度测量即可估算晶圆表面温度。该方法基于能捕捉晶圆温度动态特性的数学模型，主要依赖于准线性热方程。实际实验验证了所提方法的实现精度。
作者：
Martin Kleindienst，Markus Reichhartinger，Stefan Koch，Martin Horn
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