研究目的
研究利用Al2O3层钝化硅表面的可能性,该方案具有更低的热预算要求,可用于体寿命研究且不改变硅基体特性。
研究成果
研究表明,将th-ALD Al2O3层或th-ALD/PA-ALD叠层的低温后沉积退火与电晕充电相结合,能有效实现体寿命研究所需的优异表面钝化效果,即使在低热预算条件下也能获得稳定的Seff值。
研究不足
研究表明,虽然低温退火结合电晕充电可实现优异的表面钝化效果,但该工艺需严格控制退火时间和温度。紫外线照射能改善表面钝化效果,但其作用程度不及电晕充电。
研究目的
研究利用Al2O3层钝化硅表面的可能性,该方案具有更低的热预算要求,可用于体寿命研究且不改变硅基体特性。
研究成果
研究表明,将th-ALD Al2O3层或th-ALD/PA-ALD叠层的低温后沉积退火与电晕充电相结合,能有效实现体寿命研究所需的优异表面钝化效果,即使在低热预算条件下也能获得稳定的Seff值。
研究不足
研究表明,虽然低温退火结合电晕充电可实现优异的表面钝化效果,但该工艺需严格控制退火时间和温度。紫外线照射能改善表面钝化效果,但其作用程度不及电晕充电。
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您正在对论文“AIP会议录 [美国物理联合会出版社第15届聚光光伏系统国际会议(CPV-15)- 摩洛哥非斯(2019年3月25-27日)] 第15届聚光光伏系统国际会议(CPV-15)- 基于电晕充电Al2O3的体寿命研究用低温硅表面钝化技术”进行纠错
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