1：实验设计与方法选择：

本研究采用CO2等离子体处理本征氢化非晶硅以形成载流子传输层（PTLs）。通过改变处理压力探究其对氧化硅薄膜中富氧组分形成的影响。

2：样品选择与数据来源：

使用单面抛光的n型CZ硅片。在沉积a-Si:H(i)层前，硅片经过超声清洗、RCA-1和RCA-2清洗流程，并采用氢氟酸溶液浸泡去除自然氧化层。

3：实验设备与材料清单：

使用光谱椭偏仪（SE，VASE?，J. A. Woollam）、Sinton咨询公司的准稳态光电导（QSSPC）测试系统（WCT-120）、配备Cu Kα辐射的X射线光电子能谱仪（XPS）、二次离子质谱仪（SIMS，CAMECA IMS-7F-MAGNETIC-SECTOR）以及高分辨透射电镜（HR-TEM，JEM-2100F-HR-JEOL）。

4：0）、配备Cu Kα辐射的X射线光电子能谱仪（XPS）、二次离子质谱仪（SIMS，CAMECA IMS-7F-MAGNETIC-SECTOR）以及高分辨透射电镜（HR-TEM，JEM-2100F-HR-JEOL）。 实验流程与操作步骤：

4. 实验流程与操作步骤：清洗后，在硅片双面沉积3纳米厚的a-Si:H(i)层，随后进行1600至2200 mTorr压力范围内的原位CO2等离子体处理以形成PTLs。采用SE测定PTLs厚度，QSSPC测量少数载流子寿命。

5：数据分析方法：

通过传输线法（TLM）测定接触电阻率。采用XPS分析PTLs化学成分，SIMS获取PTL/c-Si异质界面处各离子种类的深度分布。