研究目的
研究一种在常温和室温条件下通过直接激光合成实现二维MoS2和WS2层局部合成与图案化的新方法。
研究成果
该方法可在环境条件下高精度、优异空间可控性地实现二维MoS2和WS2层的局部合成与图案化。薄膜的质量和厚度可调，且已证明适用于薄膜晶体管等电子应用。
研究不足
该方法的可扩展性以及针对不同应用对前驱体化学和激光参数进行进一步优化的需求。
1：实验设计与方法选择：
通过空间选择性可见激光照射涂覆在平面基底表面的合适前驱体，实现MoS2和WS2层的合成。
2：样品选择与数据来源：
使用各种玻璃和晶体基底。
3：实验设备与材料清单：
用于照射的激光器、MoS2和WS2前驱体、基底。
4：实验步骤与操作流程：
将前驱体涂覆在基底上，然后在环境条件下用激光照射。未曝光的前驱体区域一步去除。
5：数据分析方法：
使用光学显微镜、触针式轮廓仪、拉曼光谱、光致发光光谱（PL）和X射线光电子能谱（XPS）评估沉积结构的质量和厚度。
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Laser
Spatially selective irradiation of precursors for the synthesis of MoS2 and WS2 layers.
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Optical microscopy
Imaging of the synthesized MoS2 and WS2 layers.
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Raman spectroscopy
Assessment of the quality and thickness of the deposited MoS2 and WS2 structures.
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Photoluminescence spectroscopy (PL)
Assessment of the quality and thickness of the deposited MoS2 and WS2 structures.
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X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)
Assessment of the quality and thickness of the deposited MoS2 and WS2 structures.
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