研究目的
通过优化IGZO层中的氧含量并减少栅极绝缘层的过量氧来改善顶栅a-IGZO TFT的电学特性,并展示一款具有高可靠性图像残留的55英寸4K超高清OLED电视。
研究成果
该研究通过优化IGZO层中的氧含量并降低栅极绝缘层的过量氧,成功改善了顶栅a-IGZO TFT的电学特性,实现了阈值电压和BTS特性的均匀性。展示了一款具有高可靠性抗图像残留的55英寸4K超高清OLED电视。
研究不足
该研究聚焦于优化IGZO和栅极绝缘层中的氧含量,以改善OLED显示器的电学特性和图像残留问题,但未涉及影响显示性能的其他潜在因素。
1:实验设计与方法选择:
优化IGZO层中的氧含量并减少栅极绝缘层的过量氧。
2:样品选择与数据来源:
采用第8.5代玻璃制备非晶IGZO薄膜晶体管(a-IGZO TFTs)。
3:5代玻璃制备非晶IGZO薄膜晶体管(a-IGZO TFTs)。
实验设备与材料清单:
3. 实验设备与材料清单:使用PECVD沉积SiO2层及a-IGZO沟道层,AKT旋转溅射仪沉积IGZO,半导体参数分析仪(Keysight B1500A)进行器件测试。
4:实验步骤与操作流程:
在玻璃基板上制备顶栅共面型a-IGZO TFTs,沉积并图形化Cu/MoNb栅电极,形成源漏延伸区,沉积层间介质,制备源漏接触孔,采用Cu/MoNb作为源漏电极材料,进行热退火处理,形成SiO2钝化层及ITO像素电极。
5:数据分析方法:
分析电学特性与偏置温度稳定性(BTS)特性,评估图像残留。
独家科研数据包,助您复现前沿成果,加速创新突破
获取完整内容