研究目的
基于Cd3As2/MoS2异质结的高响应度快速紫外-可见-短波红外光电探测器研究。
研究成果
Cd3As2/MoS2异质结光电探测器在从紫外到短波红外的宽光谱范围内展现出高响应度和快速响应时间。这种狄拉克半金属与二维材料的复合结构为高性能光电探测器和宽带成像提供了潜在解决方案。
研究不足
光电探测器的性能受限于Cd3As2/MoS2界面处微弱的内建电场，这影响了量子效率。光源的小部分贡献了光电流，表明在光吸收和载流子收集效率方面存在潜在的优化空间。
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基于Cd3As2/MoS2异质结的高响应度快速紫外-可见-短波红外光电探测器
DOI：10.1088/1361-6528/ab51d3
期刊：Nanotechnology
出版年份：2019
更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要：
高响应度、快速响应时间和超宽探测光谱是先进光电探测器追求的目标。Cd3As2作为三维狄拉克半金属，具有零带隙、宽光谱区域高光吸收率以及室温下高于石墨烯的迁移率。然而基于Cd3As2的光电导探测器因缺乏高内建电场而量子效率较低。本研究制备了Cd3As2纳米片/多层MoS2异质结光电探测器，在室温下实现了高达2.7×103 A/W的响应度。该探测器在紫外（365 nm）至短波红外（1550 nm）宽光谱范围内展现出短响应时间，在650 nm波长处达到65微秒。这项工作通过结合三维狄拉克半金属材料与半导体材料，为高性能光电探测器和宽带成像提供了极具潜力的解决方案。
作者：
Zehua Huang，Yadong Jiang，Qi Han，Ming Yang，Jiayue Han，Fang Wang，Man Luo，Qing Li，He Zhu，Xianchao Liu，Jun Gou，Jun Wang
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