研究目的
研究化学纹理化工艺对非传统硅衬底在硅异质结太阳能电池应用中的影响，重点关注表面形貌、反射率和表面复合。
研究成果
化学纹理化工艺通过一步实现锯痕去除与表面织构化，有效降低反射率并简化硅异质结太阳能电池的制备流程。但超薄冶金级（UMG）硅片表面存在显著缺陷，表明其可能不适用于此类应用。
研究不足
研究指出，在绒面化处理后，超高效冶金级硅片表面会出现重要缺陷，这表明其用于硅异质结太阳能电池存在局限性。该工艺的有效性还取决于硅片表面的初始状态。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用氢氟酸和硝酸对多晶及UMG硅片进行各向同性刻蚀以实现表面织构化，系统研究了刻蚀时间对表面特性的影响。
2：样品选择与数据来源：
使用具有特定电阻率和厚度的p型原切片多晶及UMG硅衬底。
3：实验设备与材料清单：
UV/可见/近红外珀金埃尔默Lambda 1050分光光度计、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、采用WCT-120设备进行的准稳态光电导(QSS-PC)测量、氢氟酸:硝酸:去离子水混合溶液、氢氧化钠溶液。
4：实验流程与操作步骤：
将硅片浸入酸溶液不同时间后冲洗，并用氢氧化钠去除多孔硅层，随后分析表面特性。
5：数据分析方法：
通过反射率测量、SEM和XPS进行表面形貌与成分分析，采用QSS-PC评估表面复合特性。
独家科研数据包，助您复现前沿成果，加速创新突破
获取完整内容-
UV/Visible/NIR Perkin-Elmer Lambda 1050 spectrophotometer
Lambda 1050
Perkin-Elmer
Measuring the spectral hemispherical reflectances of the textured silicon surfaces
-
SEM
Analyzing the surface morphology of the wafers
-
XPS
Assessing the presence and concentration of chemical impurities after the different texturization processes
-
QSS-PC measurements with WCT-120 equipment
WCT-120
Sinton Consulting
Measuring implicit open-circuit voltages (iVoc) at 1 sun
-
登录查看剩余2件设备及参数对照表
查看全部
