研究目的
研究一种背发射极（背结）n-on-p+器件设计，用于应变补偿单片III-V/Si叠层太阳能电池，作为传统前发射极（前结）n+-on-p设计的替代方案，以期获得更强的抗穿透位错性能退化能力。
研究成果
后发射极设计确实可能是应用于包括III-V/Si叠层在内的异质结电池的一条有前景的途径，在这些电池中，实现最大电压输出常常受到高位错密度的阻碍。然而，还需要进一步优化短路电流收集。
研究不足
需要进一步优化短路电流收集，以克服可能限制此类结构效能的次优收集概率分布。
1：实验设计与方法选择：
本研究比较了金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长的背发射极与前发射极1.7电子伏特带隙GaAs0.75P0.25同质结顶电池。
2：7电子伏特带隙GaAs75P25同质结顶电池。 样品选择与数据来源：
2. 样品选择与数据来源：器件在独立制备的GaAsyP1-y/GaAs应变弛豫虚拟衬底模板上重新生长。
3：实验设备与材料清单：
金属有机化学气相沉积（MOCVD）系统、AIXTRON 3×2英寸紧密耦合喷淋头、LayTec EpiTT系统、BEDE D1三轴衍射仪、TS Space Systems双区太阳能模拟器、Keithley 2400系统源表。
4：实验流程与操作步骤：
器件结构生长、模拟AM1.5G光谱下的光照I-V（LIV）特性表征、内量子效率（IQE）测量、暗态I-V（DIV）测量。
5：5G光谱下的光照I-V（LIV）特性表征、内量子效率（IQE）测量、暗态I-V（DIV）测量。 数据分析方法：
5. 数据分析方法：基于MATLAB的拟合程序对相关I-V参数进行建模与提取，通过解析IQE模型获取少数载流子扩散长度。
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AIXTRON 3 × 2(cid:6)(cid:6) close-coupled showerhead
3 × 2(cid:6)(cid:6)
AIXTRON
Metal-organic chemical vapor deposition system designed for III–AsP materials.
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LayTec EpiTT system
EpiTT
LayTec
In situ reflectance-based monitoring of growth rate and temperature.
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Keithley 2400 system source meter
2400
Keithley
Dark I–V (DIV) measurements.
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BEDE D1 triple-axis diffractometer
D1
BEDE
High-resolution X-ray diffraction.
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TS Space Systems two-zone solar simulator
two-zone
TS Space Systems
Simulated AM1.5G spectrum for illuminated I–V (LIV) measurements.
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