研究目的
通过开发基于波导的大视场成像平台,克服当前单分子定位显微镜技术在二维材料中光学活性缺陷高通量表征方面的局限性。
研究成果
基于波导的平台在二维材料缺陷的高通量表征与探索方面展现出显著潜力。其成像速度较传统方法提升百倍,为进一步与片上电子器件及微波电路集成以实现量子信息处理与传感应用奠定了基础。
研究不足
局限性包括因聚合物残留和二氧化硅包层中的固有杂质而可能产生的寄生信号,这会影响成像质量。此外,该平台的性能可能会受到消逝场均匀性以及二维材料转移工艺质量的影响。
该方法采用基于波导的平台对二维材料中的光学活性缺陷进行成像。该平台由硅芯片构成,其内部埋设有多层氮化硅(Si3N4)波导,这些波导嵌于二氧化硅包层中。芯片通过数值模拟设计,具有高耦合效率、低损耗和均匀场分布的特性。实验装置包含自主搭建的显微镜系统,配备激发激光器、用于将激光耦合进波导的长工作距离物镜、高数值孔径成像物镜,以及采集光致发光(PL)信号的sCMOS相机。该平台可实现对六方氮化硼(hBN)、二硫化钼(MoS2)和二硫化钨(WS2)等二维材料中缺陷的大面积成像(最大成像区域达100×1000微米2)。
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