研究目的
报道一种简便的室温溶液法制备高质量且x值可控的Cu2-xO薄膜，用于晶体n型硅基异质结光电探测器（PDs），旨在提高其光电响应度和响应速度。
研究成果
该研究成功展示了一种低温溶液法制备价态可控的Cu2-xO薄膜，用于高性能光电探测器。优化后的器件表现出高响应度和快速响应速度，这归因于匹配的能带对齐、高质量Cu2O薄膜中的低陷阱态以及优异的光捕获能力。该方法有望促进Cu2-xO薄膜的大规模制备，并拓宽其在光电器件中的应用。
研究不足
该研究聚焦于采用溶液法制备Cu2-xO/Si异质结光电探测器及其性能表现，但未深入探究该工艺的可扩展性以及器件在实际工作条件下的长期稳定性。
1：实验设计与方法选择：
采用简便的室温溶液法制备了具有可控x值的高质量Cu2-xO薄膜，这些薄膜被用作晶体n型硅基异质结光电探测器中的空穴选择性传输层。
2：样品选择与数据来源：
以n型(100)取向、双面抛光的硅片为衬底，通过旋涂碘化铜乙腈溶液于硅衬底上，随后在氢氧化钠水溶液中转化制备Cu2-xO薄膜。
3：实验设备与材料清单：
原子力显微镜(AFM, SPM-9500j2)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见光谱仪(岛津UV-2600)、X射线衍射仪(理学Miniflex600)、高分辨X射线光电子能谱仪(Thermo Scientific K-alpha+)及紫外光电子能谱(UPS)。
4：2)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见光谱仪(岛津UV-2600)、X射线衍射仪(理学Miniflex600)、高分辨X射线光电子能谱仪(Thermo Scientific K-alpha+)及紫外光电子能谱(UPS)。 实验步骤与操作流程：
4. 实验步骤与操作流程：通过旋涂碘化铜乙腈溶液于硅衬底上，随后在氢氧化钠水溶液中转化制备Cu2-xO薄膜，采用热蒸发法沉积银栅和铝膜作为电极。
5：数据分析方法：
对形貌、吸收光谱、XRD图谱、界面化学计量比及价带排列进行表征，在不同条件下进行光电响应测量。
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Measurement of the absorption spectra of Cu2-xO thin films
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