研究目的
通过脉冲激光沉积法合成重费米子CeCoIn5薄膜并研究其超导特性。
研究成果
该研究利用脉冲激光沉积法（PLD）成功在c面蓝宝石衬底上合成了CeCoIn5薄膜。这些薄膜在1.8K时呈现零电阻超导转变，在49K处出现近藤相干峰。其上临界场随温度的变化关系与高质量单晶样品高度吻合。需进一步优化生长条件以制备无杂相的高质量外延薄膜。
研究不足
Co115薄膜的生长取决于脉冲激光沉积（PLD）中的激光能量密度、沉积温度和腔室气压等沉积条件。获得Co115薄膜所需的沉积窗口较窄，这使得在不产生杂相的情况下生长高质量外延薄膜具有挑战性。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用脉冲激光沉积（PLD）技术在Al2O3（0001）衬底上生长CeCoIn5薄膜。通过X射线衍射（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）和能量色散X射线光谱（EDX）对薄膜进行表征。采用标准四探针法测量电阻率。
2：样品选择与数据来源：
使用化学计量比的纯元素金属通过电弧熔炼法制备多晶Co115靶材。
3：实验设备与材料清单：
采用LightMachinery IPEX-864准分子激光器进行烧蚀，衬底加热使用卤素灯加热器。
4：实验流程与操作步骤：
沉积温度为600°C，以10Hz重复频率共发射36,000次激光脉冲。
5：数据分析方法：
使用FullProf程序对XRD数据进行精修，在最高9T磁场下测量电阻率。
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