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以螺-OMeTAD为缓冲层的CdSe/ZnS量子点发光二极管

DOI：10.1109/TED.2019.2937788 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 出版年份：2019 更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要： 我们报道了一种高效绿色CdSe/ZnS量子点发光二极管(QLED)，采用2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(Spiro-OMeTAD)作为电子缓冲层。Spiro-OMeTAD的高最低未占分子轨道能级抑制了电子转移并促进了电荷平衡。该绿色QLED器件的外量子效率(EQE)提高了1.93倍至14.65%，亮度提高了1.37倍至55,760 cd/m2。结果表明，Spiro-OMeTAD层能有效防止过量电子注入量子点，并平衡电子与空穴载流子的复合。
作者： Wenjing Zhang，Qin Zhang，Yubao Zhang，Fangfang Li，Chun Chang，Hao Sun，Min Yang，Sudal Yanto，Zhenwei Zhang，Liang Yang
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究将Spiro-OMeTAD作为电子缓冲层应用于CdSe/ZnS量子点发光二极管（QLEDs）中，以改善电荷平衡、提高效率和亮度。

研究成果

Spiro-OMeTAD电子缓冲层通过促进电荷平衡和防止过量电子注入，显著提升了CdSe/ZnS量子点发光二极管（QLED）的效率、亮度和稳定性。该器件的外量子效率和亮度分别提高了1.93倍和1.37倍，寿命从10,206小时延长至24,427小时。

研究不足

该研究聚焦于绿色CdSe/ZnS量子点发光二极管（QLED），其发现可能不直接适用于其他颜色或材料的QLED。研究发现Spiro-OMeTAD缓冲层的最佳厚度为17纳米，超过该厚度器件性能会下降。

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