研究目的
研究外腔二极管激光器（ECDLs）中光栅特性（衍射效率和槽密度）与边模抑制比（SMSR）的关系，以实现1550 nm附近超高边模抑制比和宽调谐范围。
研究成果
通过提高Littrow结构中光栅的刻线密度，可以显著改善外腔激光器的性能。采用1200线/毫米、一级衍射效率为91%的光栅时，实现了最大边模抑制比65分贝和209.9纳米的调谐范围。结果表明，适当的高光栅刻线数和一级衍射效率对提升激光器性能至关重要。
研究不足
该研究仅限于所测试的特定光栅参数和配置，未探究其他光栅特性或配置对激光性能的影响。此外，外腔二极管激光器在高动态范围测试与测量中的实际应用可能还需进一步优化。
1：实验设计与方法选择：
构建了三种不同光栅参数（衍射效率和刻线密度）的配置方案，以研究其对外腔半导体激光器（ECDL）边模抑制比（SMSR）和调谐范围的影响。
2：样品选择与数据来源：
采用商用增益芯片（Thorlabs公司SAF1126H散热组件）作为激光源，光学光谱通过光谱分析仪（OSA，YOKOGAWA公司AQ6370D）测量。
3：实验设备与材料清单：
增益芯片（Thorlabs SAF1126H）、非球面透镜（Thorlabs 355660-C）、衍射光栅（Thorlabs GR13-0616和GR13-1208）、功率计（Thorlabs S146C）。
4：8）、功率计（Thorlabs S146C）。 实验步骤与操作流程：
4. 实验步骤与操作流程：通过热电制冷器（TEC）将增益芯片冷却至20°C，输出光束经准直后在一维Littrow结构安装的衍射光栅表面发生衍射，一级衍射光反馈回增益芯片。
5：数据分析方法：
测量并分析光学光谱与输出功率数据，以确定边模抑制比和调谐范围。
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SAF1126H heatsink assembly
SAF1126H
Thorlabs
Gain chip used as the laser source in the ECDL system.
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Aspherical lens
355660-C
Thorlabs
Collimates the output beam from the rear facet of the gain chip.
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Diffractive grating
GR13-0616
Thorlabs
Used in configurations A and B to diffract the collimated beam.
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Diffractive grating
GR13-1208
Thorlabs
Used in configuration C to diffract the collimated beam.
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Power meter
S146C
Thorlabs
Measures the output power of the ECDLs.
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Optical spectrum analyzer
AQ6370D
YOKOGAWA
Measures the optical spectra of the ECDL system.
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