研究目的
评估基于碳化硅雪崩光电二极管(SiC-APD)的实验室组装单光子雪崩光电二极管(SPAD)在量子信息科学和紫外光探测应用中的性能。
研究成果
基于碳化硅雪崩光电二极管(SiC-APD)的实验室组装单光子雪崩二极管(SPAD)展现出在量子信息科学和紫外光探测领域的应用潜力,其盖革模式运行已在SiC-APD击穿电压以上得到验证。未来研究可聚焦于通过降低暗计数率和优化热管理来提升器件性能。
研究不足
该研究仅限于对基于碳化硅雪崩光电二极管(SiC-APD)的实验室组装单光子雪崩二极管(SPAD)进行性能评估,潜在优化方向包括降低暗计数率及改进热管理。
1:实验设计与方法选择:
本研究涉及基于碳化硅雪崩光电二极管(SiC-APD)的单光子雪崩二极管(SPAD)的组装与性能评估,重点研究其盖革模式运行及暗计数率(DCR)测量。
2:样本选择与数据来源:
以实验室自组装的SPAD器件为主要样本,收集其工作特性数据。
3:实验设备与材料清单:
实验装置包括连接半导体制冷器(TEC)的SiC-APD、用于散热的风扇冷却器,以及用于DCR测量的光子计数器(ORTEC 928)。
4:实验步骤与操作流程:
实验通过向SiC-APD施加反向偏压,观测雪崩脉冲,并测量DCR随反向偏压、电平比较器电压及温度的变化。
5:数据分析方法:
基于观测到的雪崩脉冲和DCR测量结果分析SPAD的性能。
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