研究目的
研究电光有机材料在光子集成电路技术中的集成，以实现具有超低能耗的高速调制器。
研究成果
该研究成功展示了有机电光材料与光子集成电路技术的集成，实现了具有可测量电光效应的实用光子器件。未来工作将聚焦于降低电阻，并将功能化有机材料集成至更复杂的光子电路中。
研究不足
由于标准半导体制造工艺中的高温处理，将有机材料集成到硅光子技术中具有挑战性。该研究还指出蚀刻工艺均匀性存在问题，且电连接需要进一步优化。
1：实验设计与方法选择：
本研究聚焦于将有机电光材料混合集成至硅光子集成电路技术中，采用0.25微米SiGe BiCMOS中试线。方法包括制备用于电光应用的狭缝波导和环形谐振器。
2：25微米SiGe BiCMOS中试线。方法包括制备用于电光应用的狭缝波导和环形谐振器。 样本选择与数据来源：
2. 样本选择与数据来源：研究使用200毫米SOI晶圆，其晶体硅器件层厚度为220纳米。选用具有电光特性的有机材料PMMA/DR1。
3：实验设备与材料清单：
设备包括0.25微米SiGe BiCMOS中试线、用于成像的聚焦离子束(FIB)、二次电子显微镜(SEM)，以及用于制备工艺的反应离子刻蚀(RIE)。材料包含SOI晶圆、PMMA/DR1聚合物及电极用铝材。
4：25微米SiGe BiCMOS中试线、用于成像的聚焦离子束(FIB)、二次电子显微镜(SEM)，以及用于制备工艺的反应离子刻蚀(RIE)。材料包含SOI晶圆、PMMA/DR1聚合物及电极用铝材。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：过程涉及光子器件制备、狭缝波导释放、通过旋涂沉积有机材料，以及电光特性表征。
5：数据分析方法：
分析包括器件的光学与电光特性表征、共振波长偏移测量及二次电光系数计算。
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