研究目的
为探索晶体硅（c-Si）太阳能电池电镀铜（Cu）接触形成技术的物理极限，在保持工艺与工业需求兼容的前提下，将该技术应用于三种不同的正/背接触晶体硅太阳能电池结构中。
研究成果
该研究成功开发并优化了应用于具有载流子选择性钝化接触（CSPCs）太阳能电池的镀铜前电极，采用钛或银籽晶层。优化的电镀铜工艺对太阳能电池前驱体的钝化质量无显著影响。尽管存在开路电压下降和背景电镀等局限性，但将该金属化技术应用于三种不同的c-Si太阳能电池结构中，仍显示出其潜力。
研究不足
该研究承认生长在籽晶层上的铜附着力较差，且铜会深度扩散至硅中，从而影响器件性能。此外，还观察到设计区域外存在背景电镀现象，尤其是采用钛籽晶层时更为明显。
1：实验设计与方法选择：
开发了两种适用于氮化硅或透明导电氧化物减反射涂层的铜电镀接触制备工艺，采用蒸发银或钛等替代籽晶层。
2：样品选择与数据来源：
使用4英寸n型区熔硅片，表面为抛光(100)晶向。
3：实验设备与材料清单：
Meco电镀铜机、Autolab 10A电流增强发生器、AZ9260光刻胶等。
4：实验流程与操作步骤：
沉积籽晶层后直接进行铜电镀，中间未进行任何额外处理或表面处理。
5：数据分析方法：
采用基恩士共聚焦显微镜、扫描电镜及一维Dektak轮廓仪表征金属栅格形貌。
独家科研数据包，助您复现前沿成果，加速创新突破
获取完整内容-
Meco Cu-plater
Used for Cu electroplating process.
-
Autolab 10 A current booster generator
Used to generate current for electroplating process.
-
AZ9260 photoresist
Used as a mask during the electroplating process.
-
Keyence confocal microscope
Used to characterize metal grid morphology.
-
SEM XL50 Philips
Used to investigate the presence of metal spots outside the designated area.
-
Dektak pro?le meter
Used to investigate the step height difference between two different areas of a wafer.
-
登录查看剩余4件设备及参数对照表
查看全部
