研究目的
通过微米级激光光斑扫描研究不同硅光电倍增管（SiPMs）的带状响应，以确定探测红光时深微阱型SiPMs的几何填充因子。
研究成果
使用微米激光束扫描硅光电倍增管的方法表明，表面像素光电二极管的几何填充因子实测值与计算值吻合良好。对于深型硅光电倍增管，其几何因子小于100%，表明并非所有光电子都在雪崩倍增区被收集。通过调整硅光电倍增管的结构可改善这一情况。
研究不足
该研究的局限性在于激光光斑尺寸和扫描步长影响了空间分辨率。聚焦于半导体层深处的像素具有挑战性，需要特定方法。
1：实验设计与方法选择：
本研究通过微米级激光束扫描硅光电倍增管（SiPM），以探究其分区响应特性。技术手段包括将激光光斑聚焦于SiPM表面并移动光斑位置来测量响应情况。
2：样本选择与数据来源：
研究涉及两种SiPM：MAPD-2表面像素光电二极管和MAPD-3N深型SiPM。
3：实验设备与材料清单：
使用波长662纳米的激光器、透镜聚焦系统、三维位移定位系统、DRS4模数转换器、前置放大器以及Keithley 6487/E皮安计。
4：实验流程与操作步骤：
将激光聚焦于SiPM表面，移动光斑位置进行响应测量。光电二极管的信号经放大和数字化处理后进行分析。
5：数据分析方法：
通过时间窗内信号积分并收集直方图数值，采用泊松分布估算各测量点的平均光电子数。
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Picoammeter
Keithley 6487/E
Keithley
Measuring photocurrent
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Silicon Photomultiplier
MAPD-2
Zecotek
Detecting single photons
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Silicon Photomultiplier
MAPD-3N
Zecotek
Detecting single photons
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Laser
Generating light for scanning
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Analog-to-digital converter
DRS4
Digitizing signals from the photodiode
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