研究目的
利用聚焦飞秒激光辐照研究碳化硅纳米线中硼(B)的选择性掺杂以实现n-p型转换及其在纳米电子学中的应用。
研究成果
聚焦飞秒激光辐照可在碳化硅纳米线中实现可靠的选择性位点掺杂，将n型区域转化为p型区段并显著改变其电学响应特性。该方法为纳米尺度半导体精准元素掺杂提供了可行途径，有助于制备复杂功能纳米线器件以应用于纳米电子学领域。
研究不足
该技术需要精确控制激光辐照能量以避免损坏纳米材料。该方法在大规模器件制造中的可扩展性尚需进一步研究。
1：实验设计与方法选择：
采用聚焦飞秒（fs）激光辐照实现SiC纳米线中硼（B）的定点掺杂。
2：样品选择与数据来源：
将SiC纳米线分散于去离子水中并滴涂于金叉指电极上，以硼氢化钠（NaBH4）作为掺杂源。
3：实验设备与材料清单：
飞秒激光脉冲（800 nm，1 kHz）、物镜（NA=0.4）、扫描电镜（JEOL-7001F-77）、透射电镜（JEOL-2100F）、显微拉曼光谱系统（JY HR-800）、精密源表（Agilent B1500A）。
4：4）、扫描电镜（JEOL-7001F-77）、透射电镜（JEOL-2100F）、显微拉曼光谱系统（JY HR-800）、精密源表（Agilent B1500A）。 实验步骤与操作流程：
4. 实验步骤与操作流程：以1.14 J/cm2的能量密度对包裹NaBH4的SiC纳米线进行5秒激光辐照，通过电学与拉曼光谱测试表征掺杂效果。
5：14 J/cm2的能量密度对包裹NaBH4的SiC纳米线进行5秒激光辐照，通过电学与拉曼光谱测试表征掺杂效果。 数据分析方法：
5. 数据分析方法：通过电学性能与拉曼光谱分析确定SiC纳米线的掺杂状态及载流子迁移率。
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TEM
JEOL-2100F
JEOL
Analyzes the microstructure of SiC nanowires.
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Precise source-meter
Agilent B1500A
Agilent
Implements electrical characterization of single NW devices.
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SEM
JEOL-7001F-77
JEOL
Characterizes the morphology of SiC nanowires.
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SiC nanowires
XFNANO Materials
Used as the base material for doping experiments.
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Ti:sapphire mode-locked oscillator
Generates femtosecond laser pulses for irradiation.
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Objective lens
Focuses the laser beam to a specific area.
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Micro-Raman spectroscopy system
JY HR-800
Measures Raman scattering spectra of SiC nanowires.
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