研究目的
研究激光能量、偏置和辐照位置对InP HBT单粒子瞬态的影响。
研究成果
研究得出结论：激光轨迹中和的耗尽区面积决定了漏斗区的范围，并影响集电极收集的总电荷量。总电荷收集量由耗尽区收集的电荷、漏斗区收集的电荷以及扩散电荷三部分组成。反向BC结被确认为InP HBT器件中单粒子瞬态效应的关键敏感区域。
研究不足
该研究聚焦于激光能量、偏置电压和辐照位置对InP HBT单粒子瞬态的影响，但未探究温度或其他材料等其他潜在变量的作用。
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激光能量、偏置和辐照位置对InP HBT单粒子瞬态的影响
DOI：10.1088/1361-6463/ab6622
期刊：Journal of Physics D: Applied Physics
出版年份：2020
更新时间：2025-09-16 10:30:52
摘要：
基于脉冲激光实验，研究了不同激光能量、集电极偏置和辐照位置下磷化铟异质结双极晶体管中单粒子瞬态的机理。激光轨迹中和的耗尽区面积决定了漏斗区的范围，并影响集电极收集的总电荷量QTotal。总电荷收集由耗尽区收集的电荷、漏斗区收集的电荷以及扩散电荷组成。中和的耗尽区面积越大，漏斗区面积就越大，从而收集的电子-空穴对数量越多。详细研究并讨论了激光能量、集电极偏置和辐照位置对总电荷收集的影响。
作者：
Xiao-Hong Zhao，Hong-Liang Lu，Yu-Ming Zhang，Yi-Men Zhang，Zhi-Chao Wei
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