研究目的
设计并制造384×288元格式的光敏阵列元件,其单元间距为25微米,灵敏度长波限为0.5至约9.5微米。
研究成果
已开发出最优设计方案,并制造出格式为384×288元件的MPSE,其像素间距为25微米,长波灵敏度极限为0.5至约9.5微米。采用台面蚀刻技术分离单个光电二极管,降低了光电耦合效应,使矩阵光电二极管具有高空间分辨率。所开发的PD在现有同类产品中以高达680Hz的最大帧频著称,这使得热成像通道中可采用微扫描系统来提升参数性能。
研究不足
该研究承认,目前通过碳纳米管生长技术获得完全无缺陷的光电探测器尚不可能。消除缺陷像素的问题通过包括微扫描在内的不同方法得以解决。
1:实验设计与方法选择:
研究涉及设计和制造384×288元格式、步距为25微米的光敏阵列元件,开发了矩阵高速多路复用器的电路和拓扑结构。
2:样本选择与数据来源:
通过分子束外延生长了直径50.8毫米、适用于8-10微米光谱范围的CdxHg1–xTe/CdTe/ZnTe/GaAs(013)异质外延结构。
3:8毫米、适用于8-10微米光谱范围的CdxHg1–xTe/CdTe/ZnTe/GaAs(013)异质外延结构。
实验设备与材料清单:
3. 实验设备与材料清单:研究使用了配备MSMG-0.5V-0.5/80 KVO.0751.000K型线性执行器的气动斯特林机。
4:5V-5/80 KVO.000K型线性执行器的气动斯特林机。
实验步骤与操作流程:
4. 实验步骤与操作流程:光敏元件制造的基本技术包括在220°C下对CMT异质外延结构进行退火、施加钝化介质、在介质中开窗、通过B+离子注入形成n-p结以及沉积铟柱。
5:数据分析方法:
研究分析了MPSE二极管的微分电阻和光电二极管的长波灵敏度极限。
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