研究目的
研究基于AlGaN的紫外B波段激光器的激射阈值功率密度、光学增益和内部损耗与位错密度的依赖关系。
研究成果
降低AlGaN基紫外B波段激光器中的位错密度可提高光学增益并减少内部损耗，从而降低激射阈值功率密度。内部损耗的降低可通过位错作为散射因子的模型来解释。这表明减少位错对于实现紫外波段短波长激光器至关重要。
研究不足
该研究仅限于光泵浦激光器，不包括电泵浦激光器。降低位错密度具有挑战性，可能并非适用于所有应用场景。
1：实验设计与方法选择：
本研究制备了具有不同位错密度的AlGaN基紫外B波段激光器，并对其光学特性进行表征。采用可变条长法（VSL）测量光学增益和内部损耗。
2：样品选择与数据来源：
样品通过金属有机气相外延（MOVPE）在蓝宝石衬底上生长，衬底使用溅射并高温退火的AlN模板。位错密度通过阴极荧光（CL）mapping测量的暗斑密度确定。
3：实验设备与材料清单：
采用波长266 nm的四倍频钇铝石榴石激光器（YAG）作为光泵浦源。使用镍掩模以保证高测量精度。
4：实验流程与操作步骤：
样品在室温下进行表征。器件加工后测量光泵浦激光器的阈值功率密度、光学增益和内部损耗?？杀涮醭しú馐允奔し⒊ざ确段?0至250微米。
5：数据分析方法：
基于可变条长法测量获得的激发长度与发射强度关系计算净模增益。通过将增益谱峰值波长低能侧的增益设为零估算内部损耗。
独家科研数据包，助您复现前沿成果，加速创新突破
获取完整内容-
YAG laser
266 nm
Used as the optical pumping source for the optically pumped laser experiments.
-
Ni mask
Used to ensure high measurement accuracy in the VSL method.
-
Atomic force microscope
Used to measure the root mean squared values of the samples.
-
Cathodoluminescence (CL) mapping
Used to determine the dislocation density of the samples.
-
登录查看剩余2件设备及参数对照表
查看全部
