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[IEEE 2019化合物半导体周(CSW)- 日本奈良(2019.5.19-2019.5.23)] 2019化合物半导体周(CSW)- 通过GaAs/AlGaAs超晶格实现自旋守恒电子输运至InGaAs量子点

DOI:10.1109/iciprm.2019.8819222 出版年份:2019 更新时间:2025-09-19 17:13:59
摘要: 我们通过圆偏振时间分辨光致发光光谱技术,选择性激发超晶格微带,研究了自组装InGaAs量子点(QDs)通过GaAs/AlGaAs超晶格(SL)的自旋守恒电子输运过程。自旋输运特性主要取决于超晶格中AlGaAs势垒的厚度。较薄势垒的超晶格能实现量子自旋输运,在电子通过超晶格微带传输过程中高度保持电子自旋极化。
作者: Satoshi Hiura,Junichi Takayama,Takayuki Kiba,Akihiro Murayama
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研究概述 实验方案 设备清单

研究通过GaAs/AlGaAs超晶格向自组装InGaAs量子点传输的自旋守恒电子及其对AlGaAs势垒厚度的依赖性。

研究表明,在超晶格中产生的自旋极化电子在传输过程中被转移至量子点,同时高度保持了电子自旋极化状态,尤其在具有较薄势垒的超晶格中更为显著。该方法在保持自旋极化态方面对半导体自旋输运具有优势。

该研究仅限于低温测量(6 K)和特定样品构型,可能无法代表量子点中自旋传输的所有可能条件。

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