研究目的
研究通过GaAs/AlGaAs超晶格向自组装InGaAs量子点传输的自旋守恒电子及其对AlGaAs势垒厚度的依赖性。
研究成果
研究表明,在超晶格中产生的自旋极化电子在传输过程中被转移至量子点,同时高度保持了电子自旋极化状态,尤其在具有较薄势垒的超晶格中更为显著。该方法在保持自旋极化态方面对半导体自旋输运具有优势。
研究不足
该研究仅限于低温测量(6 K)和特定样品构型,可能无法代表量子点中自旋传输的所有可能条件。
研究目的
研究通过GaAs/AlGaAs超晶格向自组装InGaAs量子点传输的自旋守恒电子及其对AlGaAs势垒厚度的依赖性。
研究成果
研究表明,在超晶格中产生的自旋极化电子在传输过程中被转移至量子点,同时高度保持了电子自旋极化状态,尤其在具有较薄势垒的超晶格中更为显著。该方法在保持自旋极化态方面对半导体自旋输运具有优势。
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该研究仅限于低温测量(6 K)和特定样品构型,可能无法代表量子点中自旋传输的所有可能条件。
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您正在对论文“[IEEE 2019化合物半导体周(CSW)- 日本奈良(2019.5.19-2019.5.23)] 2019化合物半导体周(CSW)- 通过GaAs/AlGaAs超晶格实现自旋守恒电子输运至InGaAs量子点”进行纠错
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