研究目的
基于II型InAs/InAs1?xSbx超晶格，采用金属有机化学气相沉积法研制高性能Zn扩散平面中波红外探测器。
研究成果
基于II型InAs/InAs1?xSbx超晶格的Zn扩散平面中波红外光电探测器表现出优异性能，在77K温度下于3.65微米波长处峰值响应度达0.70 A/W，量子效率为24%。该器件在77K和150K温度下分别具有2.9×1012 cm Hz1/2/W和3.4×1011 cm Hz1/2/W的比探测率，显示出其中波红外探测应用的潜力。
研究不足
该研究未探讨光电探测器在不同环境条件下的长期稳定性和可靠性。此外，对于150K以上温度的性能也未进行深入研究。
1：实验设计与方法选择：
本研究在金属有机化学气相沉积（MOCVD）系统中进行了II型InAs/InAs1?xSbx超晶格生长及锌扩散实验。
2：样品选择与数据来源：
超晶格生长于掺碲的n型GaSb衬底上。
3：实验设备与材料清单：
MOCVD系统、二乙基锌（DEZn）作为锌源、砷化氢（AsH3）作为砷源、氢气作为载气。
4：实验步骤与操作流程：
扩散过程在430°C和60托的反应器压力下进行。扩散窗口通过电子回旋共振反应离子刻蚀系统中的CF4:Ar+等离子体开启。
5：数据分析方法：
采用二次离子质谱（SIMS）测定锌浓度及扩散前沿，通过圆形传输线模型（CTLM）测量研究Ti/Au欧姆接触的电阻率。
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MOCVD system
EMCORE
Used for the growth of type-II InAs/InAs1?xSbx superlattices and Zn diffusion.
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Diethylzinc
DEZn
Used as the Zn source for diffusion.
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AsH3
Used as an As source to suppress As escape from the top InAs layer.
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Hydrogen
Used as the carrier gas.
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Secondary ion mass spectrometry
SIMS
Used to determine the Zn concentration and diffusion front.
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Circular transmission line model
CTLM
Used to investigate the resistivity of the Ti/Au Ohmic contact.
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