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采用真空烧结法的单发射极高功率半导体激光器?？?

DOI：10.1016/j.ijleo.2020.164370 期刊：Optik 出版年份：2020 更新时间：2025-09-23 15:19:57
摘要： 基于对真空烧结技术的研究，我们开发了一种单发射极高功率半导体激光?？?。提出了不同温度、压力和时间烧结条件下?？槎云骷煽啃缘挠跋臁２捎每刂票淞糠ǚ治龆嘧槟？榈幕静问?，评估并最终确定了最优真空烧结方法。在270℃温度、20g压力下烧结100秒的半导体激光?？榫哂凶罴训奈榷ㄐ院涂煽啃?。
作者： Peidong Xu，Bin Wang，Yong Wang，Baoxue Bo，Xiantao Wang
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究单发射极大功率半导体激光?？榈淖罴颜婵丈战岱椒?，以实现最佳的稳定性和可靠性。

研究成果

在270°C温度、100秒时间和20克压力条件下烧结的半导体激光?？榫哂懈咂骄β省⑿°兄档缌?、高光电转换效率和高稳定性。该?？橥ü?500小时寿命测试且无功率下降或COD现象，证明其具有高可靠性。

研究不足

该实验受限于所测试的特定温度、压力和时间条件。其结果可能不适用于所有类型的半导体激光?？?，也不适用于所有烧结条件。

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