研究目的
制备一种具有高响应度和快速响应的高性能p-GaN/NiO纳米结构/n-GaN紫外（UV）三明治结构光电探测器。
研究成果
p-GaN/NiO纳米结构/n-GaN三明治结构光电探测器展现出高灵敏度、快速响应和短恢复时间，为高性能氮化镓基紫外光电探测器提供了新方法。
研究不足
该研究聚焦于光电探测器的制备与初步表征，未涉及长期稳定性及工业应用的可扩展性。
1：实验设计与方法选择：
采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）法生长GaN外延层。通过低温水热法在n型GaN模板上生长NiO纳米结构，并将生长的NiO纳米结构/n-GaN/蓝宝石与p-GaN结合制备器件。
2：样品选择与数据来源：
使用不同掺杂浓度的2 μm厚GaN外延层。
3：实验设备与材料清单：
用于GaN生长的MOCVD设备、X射线衍射仪（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）、透射电子显微镜（TEM）、紫外-可见分光光度计。
4：实验步骤与操作流程：
GaN和NiO纳米结构的生长、光电探测器制备、器件表征。
5：数据分析方法：
XRD、SEM、TEM图像分析及光电探测器性能参数分析。
独家科研数据包，助您复现前沿成果，加速创新突破
获取完整内容-
FE-SEM
Hitachi S-4800
Hitachi
Investigation of morphological properties.
-
optical power meter
Ophir PD300-UV
Ophir
Calibration of the UV lamp.
-
MOCVD
Used for growing GaN epilayers.
-
X-ray diffraction
Investigation of the structure characteristic of NiO layer.
-
TEM
Philips CM-200
Philips
Investigation of morphological properties.
-
UV–visible spectrophotometer
Persee T10
Persee
Obtaining transmittance.
-
UV lamp
Used for time-dependent response under UV lamp periodic on and off.
-
Xe-arc lamp
Used as a light source with monochromator.
-
登录查看剩余6件设备及参数对照表
查看全部
